原子能科学技术
原子能科學技術
원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2013年
2期
290-294
,共5页
中子导管%McStas%MCNP%屏蔽计算
中子導管%McStas%MCNP%屏蔽計算
중자도관%McStas%MCNP%병폐계산
中子导管将冷中子束从冷源引出至散射大厅,为保证大厅工作人员的安全,提供低本底实验环境,必须设计相应的屏蔽体进行屏蔽.在已有中子导管屏蔽体初步结构设计方案的条件下,联合McStas、MCNP,采用分段计算的方法对其进行了屏蔽计算,得到了散射大厅内中子导管周围不同位置处的辐射剂量率,验证了中子导管屏蔽体结构设计方案的有效性,为进一步开展工程设计提供了依据.
中子導管將冷中子束從冷源引齣至散射大廳,為保證大廳工作人員的安全,提供低本底實驗環境,必鬚設計相應的屏蔽體進行屏蔽.在已有中子導管屏蔽體初步結構設計方案的條件下,聯閤McStas、MCNP,採用分段計算的方法對其進行瞭屏蔽計算,得到瞭散射大廳內中子導管週圍不同位置處的輻射劑量率,驗證瞭中子導管屏蔽體結構設計方案的有效性,為進一步開展工程設計提供瞭依據.
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