电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2013年
1期
5-8
,共4页
异质结器件%物理模型%仿真%GaN
異質結器件%物理模型%倣真%GaN
이질결기건%물리모형%방진%GaN
采用二维器件仿真软件对GaN/Si异质结双极晶体管进行了特性仿真研究.对GaN/Si异质结双极晶体管建立了合理准确的物理模型,包括不完全电离模型、能带模型、能带变窄模型、迁移率模型与复合模型.结果表明,GaN/Si异质结开启电压为2.5 eV.在Ib=0.2 mA时,电流放大倍数为100倍.击穿电压为900V,使其在大功率器件方面有很大应用前景.最高截止频率为100 GHz,使其可工作在射频和微波频段.
採用二維器件倣真軟件對GaN/Si異質結雙極晶體管進行瞭特性倣真研究.對GaN/Si異質結雙極晶體管建立瞭閤理準確的物理模型,包括不完全電離模型、能帶模型、能帶變窄模型、遷移率模型與複閤模型.結果錶明,GaN/Si異質結開啟電壓為2.5 eV.在Ib=0.2 mA時,電流放大倍數為100倍.擊穿電壓為900V,使其在大功率器件方麵有很大應用前景.最高截止頻率為100 GHz,使其可工作在射頻和微波頻段.
채용이유기건방진연건대GaN/Si이질결쌍겁정체관진행료특성방진연구.대GaN/Si이질결쌍겁정체관건립료합리준학적물리모형,포괄불완전전리모형、능대모형、능대변착모형、천이솔모형여복합모형.결과표명,GaN/Si이질결개계전압위2.5 eV.재Ib=0.2 mA시,전류방대배수위100배.격천전압위900V,사기재대공솔기건방면유흔대응용전경.최고절지빈솔위100 GHz,사기가공작재사빈화미파빈단.
