电子器件
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전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2013年
1期
1-4
,共4页
王威%沈鸿烈%吕红杰%岳之浩
王威%瀋鴻烈%呂紅傑%嶽之浩
왕위%침홍렬%려홍걸%악지호
电化学腐蚀%多层纳米微结构%制备%陷光机理%反射率
電化學腐蝕%多層納米微結構%製備%陷光機理%反射率
전화학부식%다층납미미결구%제비%함광궤리%반사솔
采用电化学腐蚀方法在单晶硅片表面制备了折射率渐变的多层纳米微结构.用扫描电镜和UV-VIS-NIR分光光度计分别分析了多层纳米微结构的表面形貌和反射率.研究了腐蚀电流密度和腐蚀时间对微结构减反射性能的影响并分析了多层纳米微结构的陷光机理.结果表明:硅片表面的纳米孔径随着腐蚀电流密度和腐蚀时间增加而增大,初始腐蚀电流密度为12.25 mA/cm2和腐蚀时间为2 s时,表面最大的纳米孔径为30 nm,在400 nm～ 800 nm的可见光波长范围内的反射率为3.4％,在200 nm～2 000 nm的宽波长范围内反射率仅为5.8％,远小于常规金字塔对应的反射率.这种宽波段范围的低反射率来源于多层纳米微结构中邻层相差很小的等效折射率.
採用電化學腐蝕方法在單晶硅片錶麵製備瞭摺射率漸變的多層納米微結構.用掃描電鏡和UV-VIS-NIR分光光度計分彆分析瞭多層納米微結構的錶麵形貌和反射率.研究瞭腐蝕電流密度和腐蝕時間對微結構減反射性能的影響併分析瞭多層納米微結構的陷光機理.結果錶明:硅片錶麵的納米孔徑隨著腐蝕電流密度和腐蝕時間增加而增大,初始腐蝕電流密度為12.25 mA/cm2和腐蝕時間為2 s時,錶麵最大的納米孔徑為30 nm,在400 nm～ 800 nm的可見光波長範圍內的反射率為3.4％,在200 nm～2 000 nm的寬波長範圍內反射率僅為5.8％,遠小于常規金字塔對應的反射率.這種寬波段範圍的低反射率來源于多層納米微結構中鄰層相差很小的等效摺射率.
채용전화학부식방법재단정규편표면제비료절사솔점변적다층납미미결구.용소묘전경화UV-VIS-NIR분광광도계분별분석료다층납미미결구적표면형모화반사솔.연구료부식전류밀도화부식시간대미결구감반사성능적영향병분석료다층납미미결구적함광궤리.결과표명:규편표면적납미공경수착부식전류밀도화부식시간증가이증대,초시부식전류밀도위12.25 mA/cm2화부식시간위2 s시,표면최대적납미공경위30 nm,재400 nm～ 800 nm적가견광파장범위내적반사솔위3.4％,재200 nm～2 000 nm적관파장범위내반사솔부위5.8％,원소우상규금자탑대응적반사솔.저충관파단범위적저반사솔래원우다층납미미결구중린층상차흔소적등효절사솔.
