航空制造技术
航空製造技術
항공제조기술
AERONAUTICAL MANUFACTURING TECHNOLOGY
2013年
7期
58-61,66
,共5页
射频辉光放电%电子束蒸镀%静电探针%离子密度
射頻輝光放電%電子束蒸鍍%靜電探針%離子密度
사빈휘광방전%전자속증도%정전탐침%리자밀도
为了克服电子束蒸镀技术的不足,提高蒸镀薄膜与基体的膜基结合力,通过增加射频线圈的方法,在电子束蒸镀沉积过程中实现了射频自体辉光放电.研究了放电参数对射频辉光放电反射功率的影响规律,结果表明采用3匝直径82mm的射频线圈条件下,最佳放电距离为100cm.电子束流在160mA以上时,起辉较容易,但是电子束流大于200mA后,蒸镀的膜层容易脱落.通过静电探针分析发现,放电产生的等离子体中离子密度高于1.0×1010atom/cm3,射频功率的增大提高了真空室中各个位置处的离子密度,尤其是线圈中心位置,导致了真空室中离子密度径向位置的不均匀性.当射频功率为170W时,各位置的离子密度急剧增加.
為瞭剋服電子束蒸鍍技術的不足,提高蒸鍍薄膜與基體的膜基結閤力,通過增加射頻線圈的方法,在電子束蒸鍍沉積過程中實現瞭射頻自體輝光放電.研究瞭放電參數對射頻輝光放電反射功率的影響規律,結果錶明採用3匝直徑82mm的射頻線圈條件下,最佳放電距離為100cm.電子束流在160mA以上時,起輝較容易,但是電子束流大于200mA後,蒸鍍的膜層容易脫落.通過靜電探針分析髮現,放電產生的等離子體中離子密度高于1.0×1010atom/cm3,射頻功率的增大提高瞭真空室中各箇位置處的離子密度,尤其是線圈中心位置,導緻瞭真空室中離子密度徑嚮位置的不均勻性.噹射頻功率為170W時,各位置的離子密度急劇增加.
위료극복전자속증도기술적불족,제고증도박막여기체적막기결합력,통과증가사빈선권적방법,재전자속증도침적과정중실현료사빈자체휘광방전.연구료방전삼수대사빈휘광방전반사공솔적영향규률,결과표명채용3잡직경82mm적사빈선권조건하,최가방전거리위100cm.전자속류재160mA이상시,기휘교용역,단시전자속류대우200mA후,증도적막층용역탈락.통과정전탐침분석발현,방전산생적등리자체중리자밀도고우1.0×1010atom/cm3,사빈공솔적증대제고료진공실중각개위치처적리자밀도,우기시선권중심위치,도치료진공실중리자밀도경향위치적불균균성.당사빈공솔위170W시,각위치적리자밀도급극증가.
