电子设计工程
電子設計工程
전자설계공정
ELECTRONIC DESIGN ENGINEERING
2013年
22期
135-136,140
,共3页
毕智超%高超%乔红磊%王根义
畢智超%高超%喬紅磊%王根義
필지초%고초%교홍뢰%왕근의
TTL与非门%饱和%截止%正反馈
TTL與非門%飽和%截止%正反饋
TTL여비문%포화%절지%정반궤
TTL NAND gate%saturation%cut-off%positive feedback
为了进一步提高TTL与非门的驱动负载的能力,并使学生及其有关TTL与非门的应用者踏实、清楚地掌握提高TTL与非门驱动负载的能力的原理和方法,用量化计算和试验的方法对TTL与非门带负载能力的实质进行了研究,肯定了已有提高TTL与非门驱动负载的能力的方法的道理,并提出了进一步一种减少TTL与非门输出电阻的方法,经过理论和实验均证明具有一定的实用价值.
為瞭進一步提高TTL與非門的驅動負載的能力,併使學生及其有關TTL與非門的應用者踏實、清楚地掌握提高TTL與非門驅動負載的能力的原理和方法,用量化計算和試驗的方法對TTL與非門帶負載能力的實質進行瞭研究,肯定瞭已有提高TTL與非門驅動負載的能力的方法的道理,併提齣瞭進一步一種減少TTL與非門輸齣電阻的方法,經過理論和實驗均證明具有一定的實用價值.
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