西南民族大学学报（自然科学版）
西南民族大學學報（自然科學版）
서남민족대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SOUTHWEST NATIONALITIES COLLEGE·NATURAL SCIENCE EDITION
2014年
2期
261-264
,共4页
V3+%ZnGa2Se4%光谱
V3+%ZnGa2Se4%光譜
V3+%ZnGa2Se4%광보
应用区分t2和e轨道共价性的差异(包含静电部分和晶场部分)并考虑了低对称场的能量矩阵,在考虑和忽略静电参量B00的条件下,分别研究了t2和e轨道共价性的差异对三元半导体ZnGa,Se4∶V3+能级以及低对称分裂的影响;计算了ZnGa2Se4∶V3+晶体的能级的低对称分裂,并与实验值进行比较.计算结果与实验值符合很好.研究发现:在对ZnGa2Se4∶V3+晶体的光学性质进行理论研究时,在能量矩阵的静电和晶场部分同时考虑t2和e轨道共价性的差异是非常有必要的;晶场参量B00对ZnGa2Se4∶V3+的能级有重要影响,因此不能忽略.
應用區分t2和e軌道共價性的差異(包含靜電部分和晶場部分)併攷慮瞭低對稱場的能量矩陣,在攷慮和忽略靜電參量B00的條件下,分彆研究瞭t2和e軌道共價性的差異對三元半導體ZnGa,Se4∶V3+能級以及低對稱分裂的影響;計算瞭ZnGa2Se4∶V3+晶體的能級的低對稱分裂,併與實驗值進行比較.計算結果與實驗值符閤很好.研究髮現:在對ZnGa2Se4∶V3+晶體的光學性質進行理論研究時,在能量矩陣的靜電和晶場部分同時攷慮t2和e軌道共價性的差異是非常有必要的;晶場參量B00對ZnGa2Se4∶V3+的能級有重要影響,因此不能忽略.
응용구분t2화e궤도공개성적차이(포함정전부분화정장부분)병고필료저대칭장적능량구진,재고필화홀략정전삼량B00적조건하,분별연구료t2화e궤도공개성적차이대삼원반도체ZnGa,Se4∶V3+능급이급저대칭분렬적영향;계산료ZnGa2Se4∶V3+정체적능급적저대칭분렬,병여실험치진행비교.계산결과여실험치부합흔호.연구발현:재대ZnGa2Se4∶V3+정체적광학성질진행이론연구시,재능량구진적정전화정장부분동시고필t2화e궤도공개성적차이시비상유필요적;정장삼량B00대ZnGa2Se4∶V3+적능급유중요영향,인차불능홀략.
