传感器与微系统
傳感器與微繫統
전감기여미계통
TRANSDUCER AND MICROSYSTEM TECHNOLOGY
2013年
6期
53-55,59
,共4页
薛慧%石云波%郭浩%唐军%刘俊%丁宇凯
薛慧%石雲波%郭浩%唐軍%劉俊%丁宇凱
설혜%석운파%곽호%당군%류준%정우개
Si基异质外延GaAs材料%键合%应力转换率%力电耦合效应
Si基異質外延GaAs材料%鍵閤%應力轉換率%力電耦閤效應
Si기이질외연GaAs재료%건합%응력전환솔%력전우합효응
采用介质键合技术制备的Si基GaAs材料衬底,缺陷密度小.对待键合的器件结构电学性能影响小.对采用目前常见的介质材料制备的Si基GaAs材料的力学性能进行了仿真分析,得到用于制备MEMS衬底的最佳介质键合层是SiO2,其衬底材料应力转换率高、量程大、位移小、制备工艺简单且为亲水性,制备的Si基GaAs衬底键合强度大,机械特性好.同时,对不同厚度的介质层材料对Si基GaAs材料的力学性能影响进行了研究分析,得到介质厚度越厚,其应力转换率越高,衬底材料的力敏效应就会越好.
採用介質鍵閤技術製備的Si基GaAs材料襯底,缺陷密度小.對待鍵閤的器件結構電學性能影響小.對採用目前常見的介質材料製備的Si基GaAs材料的力學性能進行瞭倣真分析,得到用于製備MEMS襯底的最佳介質鍵閤層是SiO2,其襯底材料應力轉換率高、量程大、位移小、製備工藝簡單且為親水性,製備的Si基GaAs襯底鍵閤彊度大,機械特性好.同時,對不同厚度的介質層材料對Si基GaAs材料的力學性能影響進行瞭研究分析,得到介質厚度越厚,其應力轉換率越高,襯底材料的力敏效應就會越好.
채용개질건합기술제비적Si기GaAs재료츤저,결함밀도소.대대건합적기건결구전학성능영향소.대채용목전상견적개질재료제비적Si기GaAs재료적역학성능진행료방진분석,득도용우제비MEMS츤저적최가개질건합층시SiO2,기츤저재료응력전환솔고、량정대、위이소、제비공예간단차위친수성,제비적Si기GaAs츤저건합강도대,궤계특성호.동시,대불동후도적개질층재료대Si기GaAs재료적역학성능영향진행료연구분석,득도개질후도월후,기응력전환솔월고,츤저재료적력민효응취회월호.
