CAJ | 학술논문

GaN作为第3代半导体材料,具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度大、抗辐射能力强等特点.制备了GaN半导体探测器,并应用该探测器对241Am α粒子能谱进行测量,得到α粒子能谱的能量分辨率约30％0.同时,以Si半导体探测器为标准,对GaN探测器进行了能量及探测效率的测量,得到探测器的探测效率最高可达80.1％.最后,应用Keithley 2635静电计对GaN探测器的I-V曲线等进行测试,发现在-15 V偏压下,GaN探测器的本底电流密度小于70 nA/cm2.
GaN작위제3대반도체재료,구유금대관도대、전자포화표이속도대、항복사능력강등특점.제비료GaN반도체탐측기,병응용해탐측기대241Am α입자능보진행측량,득도α입자능보적능량분변솔약30％0.동시,이Si반도체탐측기위표준,대GaN탐측기진행료능량급탐측효솔적측량,득도탐측기적탐측효솔최고가체80.1％.최후,응용Keithley 2635정전계대GaN탐측기적I-V곡선등진행측시,발현재-15 V편압하,GaN탐측기적본저전류밀도소우70 nA/cm2.