原子能科学技术
原子能科學技術
원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2013年
5期
842-847
,共6页
丁李利%郭红霞%陈伟%范如玉%王忠明%闫逸华%陈雷%孙华波
丁李利%郭紅霞%陳偉%範如玉%王忠明%閆逸華%陳雷%孫華波
정리리%곽홍하%진위%범여옥%왕충명%염일화%진뢰%손화파
辐照偏置%总剂量效应%MOS器件%解析模型%器件仿真
輻照偏置%總劑量效應%MOS器件%解析模型%器件倣真
복조편치%총제량효응%MOS기건%해석모형%기건방진
由理论公式推导出辐照偏压影响MOS器件总剂量效应宏观电学参数的解析表达,并给出器件仿真结果加以验证.在总剂量效应未达到饱和的情况下,截止态漏电流由辐照偏压和累积剂量的关系式唯一确定.引入等效累积剂量的概念,用于将MOS器件实际工作中的各类偏置映射为最劣偏置状况,进而利用实测数据求取对应的电学响应.所得单管解析表达式应用到电路仿真中能反映电路在不同偏置情况下的总剂量效应,可用于甄别电路的最劣辐照偏置状态.
由理論公式推導齣輻照偏壓影響MOS器件總劑量效應宏觀電學參數的解析錶達,併給齣器件倣真結果加以驗證.在總劑量效應未達到飽和的情況下,截止態漏電流由輻照偏壓和纍積劑量的關繫式唯一確定.引入等效纍積劑量的概唸,用于將MOS器件實際工作中的各類偏置映射為最劣偏置狀況,進而利用實測數據求取對應的電學響應.所得單管解析錶達式應用到電路倣真中能反映電路在不同偏置情況下的總劑量效應,可用于甄彆電路的最劣輻照偏置狀態.
유이론공식추도출복조편압영향MOS기건총제량효응굉관전학삼수적해석표체,병급출기건방진결과가이험증.재총제량효응미체도포화적정황하,절지태루전류유복조편압화루적제량적관계식유일학정.인입등효루적제량적개념,용우장MOS기건실제공작중적각류편치영사위최렬편치상황,진이이용실측수거구취대응적전학향응.소득단관해석표체식응용도전로방진중능반영전로재불동편치정황하적총제량효응,가용우견별전로적최렬복조편치상태.
