原子能科学技术
原子能科學技術
원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2013年
5期
711-716
,共6页
卢洪伟%查学军%钟方川%周瑞杰%胡立群
盧洪偉%查學軍%鐘方川%週瑞傑%鬍立群
로홍위%사학군%종방천%주서걸%호립군
托卡马克%反常多普勒共振%逃逸电子%螺旋角
託卡馬剋%反常多普勒共振%逃逸電子%螺鏇角
탁잡마극%반상다보륵공진%도일전자%라선각
在托卡马克等离子体中,相同的等离子体电流条件下,若在较低的等离子体密度条件下发生反常多普勒共振,将会导致逃逸电子快螺旋角散射(FPAS)的发生；若在较高的等离子体密度条件下发生反常多普勒共振,则会导致逃逸电子正常螺旋角散射(NPAS)的发生.通过研究FPAS和NPAS条件下的逃逸电子行为,发现FPAS和NPAS均可一定程度增加逃逸电子的螺旋角,增加逃逸电子的同步辐射损失,减小逃逸电子的能量；且NPAS和FPAS对逃逸电子的影响主要集中在高能部分,对低能逃逸电子的影响较小.
在託卡馬剋等離子體中,相同的等離子體電流條件下,若在較低的等離子體密度條件下髮生反常多普勒共振,將會導緻逃逸電子快螺鏇角散射(FPAS)的髮生；若在較高的等離子體密度條件下髮生反常多普勒共振,則會導緻逃逸電子正常螺鏇角散射(NPAS)的髮生.通過研究FPAS和NPAS條件下的逃逸電子行為,髮現FPAS和NPAS均可一定程度增加逃逸電子的螺鏇角,增加逃逸電子的同步輻射損失,減小逃逸電子的能量；且NPAS和FPAS對逃逸電子的影響主要集中在高能部分,對低能逃逸電子的影響較小.
재탁잡마극등리자체중,상동적등리자체전류조건하,약재교저적등리자체밀도조건하발생반상다보륵공진,장회도치도일전자쾌라선각산사(FPAS)적발생；약재교고적등리자체밀도조건하발생반상다보륵공진,칙회도치도일전자정상라선각산사(NPAS)적발생.통과연구FPAS화NPAS조건하적도일전자행위,발현FPAS화NPAS균가일정정도증가도일전자적라선각,증가도일전자적동보복사손실,감소도일전자적능량；차NPAS화FPAS대도일전자적영향주요집중재고능부분,대저능도일전자적영향교소.
