传感器与微系统
傳感器與微繫統
전감기여미계통
TRANSDUCER AND MICROSYSTEM TECHNOLOGY
2013年
5期
128-130,134
,共4页
低温%红外%AB类输出级%恒定跨导%轨到轨%低功耗
低溫%紅外%AB類輸齣級%恆定跨導%軌到軌%低功耗
저온%홍외%AB류수출급%항정과도%궤도궤%저공모
使用chrt 0.35 μm 3.3 V CMOS工艺设计了用于制冷型红外面阵读出电路的高性能输出缓冲器,该缓冲器能在红外读出电路5M/s的读出速度下驱动约25 pF的负载电容,在输出幅度为2V的条件下,建立时间为40 ns,平均功耗为3.94 mA.给出了修改chrt 0.35 μm后的模型参数的仿真结果与最后的测试结果,基本满足红外读出电路的设计要求.
使用chrt 0.35 μm 3.3 V CMOS工藝設計瞭用于製冷型紅外麵陣讀齣電路的高性能輸齣緩遲器,該緩遲器能在紅外讀齣電路5M/s的讀齣速度下驅動約25 pF的負載電容,在輸齣幅度為2V的條件下,建立時間為40 ns,平均功耗為3.94 mA.給齣瞭脩改chrt 0.35 μm後的模型參數的倣真結果與最後的測試結果,基本滿足紅外讀齣電路的設計要求.
사용chrt 0.35 μm 3.3 V CMOS공예설계료용우제랭형홍외면진독출전로적고성능수출완충기,해완충기능재홍외독출전로5M/s적독출속도하구동약25 pF적부재전용,재수출폭도위2V적조건하,건립시간위40 ns,평균공모위3.94 mA.급출료수개chrt 0.35 μm후적모형삼수적방진결과여최후적측시결과,기본만족홍외독출전로적설계요구.
