微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
2期
278-281
,共4页
横向双扩散金属-氧化物-半导体%降低表面电场%击穿电压%比导通电阻
橫嚮雙擴散金屬-氧化物-半導體%降低錶麵電場%擊穿電壓%比導通電阻
횡향쌍확산금속-양화물-반도체%강저표면전장%격천전압%비도통전조
提出了一种利用高能离子注入形成的700 V三层RESURF结构nLDMOS.与双RESURF结构漂移区表面注入形成P-top层不同,三层RESURF结构在漂移区内部形成P型埋层,漂移区表面保留一条N型导电通路,导通电阻有所降低.利用Sentaurus TCAD仿真软件,分析各参数对器件击穿电压和导通电阻的影响.与普通单RESURF和双RESURF结构相比,三层RESURF LDMOS器件的优值(FOM)得到提高,三种结构的优值之比为1∶1.75∶2.03.
提齣瞭一種利用高能離子註入形成的700 V三層RESURF結構nLDMOS.與雙RESURF結構漂移區錶麵註入形成P-top層不同,三層RESURF結構在漂移區內部形成P型埋層,漂移區錶麵保留一條N型導電通路,導通電阻有所降低.利用Sentaurus TCAD倣真軟件,分析各參數對器件擊穿電壓和導通電阻的影響.與普通單RESURF和雙RESURF結構相比,三層RESURF LDMOS器件的優值(FOM)得到提高,三種結構的優值之比為1∶1.75∶2.03.
제출료일충이용고능리자주입형성적700 V삼층RESURF결구nLDMOS.여쌍RESURF결구표이구표면주입형성P-top층불동,삼층RESURF결구재표이구내부형성P형매층,표이구표면보류일조N형도전통로,도통전조유소강저.이용Sentaurus TCAD방진연건,분석각삼수대기건격천전압화도통전조적영향.여보통단RESURF화쌍RESURF결구상비,삼층RESURF LDMOS기건적우치(FOM)득도제고,삼충결구적우치지비위1∶1.75∶2.03.
