微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
2期
210-212,217
,共4页
宋文青%于奇%冯纯益%张军%朱波%郑杰
宋文青%于奇%馮純益%張軍%硃波%鄭傑
송문청%우기%풍순익%장군%주파%정걸
Tracking-VGS%温度补偿%NMOS栅源电压%电压基准源
Tracking-VGS%溫度補償%NMOS柵源電壓%電壓基準源
Tracking-VGS%온도보상%NMOS책원전압%전압기준원
通过利用改进型低压Tracking-VGS结构的栅源电压差△VGS,对NMOS晶体管的阈值电压进行补偿,提出一种全MOS低温漂电压基准源结构,获得了电源抑制特性较好的低温漂基准电压.基于2.5 V65 nm标准CMOS工艺,对电路进行HSPICE仿真验证.结果显示:在-40℃～125℃温度范围内,基准电压为1.1V,温度系数为1.6×10-5/℃,电源抑制比为-51 dB.
通過利用改進型低壓Tracking-VGS結構的柵源電壓差△VGS,對NMOS晶體管的閾值電壓進行補償,提齣一種全MOS低溫漂電壓基準源結構,穫得瞭電源抑製特性較好的低溫漂基準電壓.基于2.5 V65 nm標準CMOS工藝,對電路進行HSPICE倣真驗證.結果顯示:在-40℃～125℃溫度範圍內,基準電壓為1.1V,溫度繫數為1.6×10-5/℃,電源抑製比為-51 dB.
통과이용개진형저압Tracking-VGS결구적책원전압차△VGS,대NMOS정체관적역치전압진행보상,제출일충전MOS저온표전압기준원결구,획득료전원억제특성교호적저온표기준전압.기우2.5 V65 nm표준CMOS공예,대전로진행HSPICE방진험증.결과현시:재-40℃～125℃온도범위내,기준전압위1.1V,온도계수위1.6×10-5/℃,전원억제비위-51 dB.
