微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
2期
166-169,173
,共5页
王巍%马晓英%宫召英%杨丽君%钟武%唐政维%冯世娟
王巍%馬曉英%宮召英%楊麗君%鐘武%唐政維%馮世娟
왕외%마효영%궁소영%양려군%종무%당정유%풍세연
超宽带%功率放大器%CMOS%电流复用
超寬帶%功率放大器%CMOS%電流複用
초관대%공솔방대기%CMOS%전류복용
设计了一种工作在3～5 GHz频段、具有极好的增益与平坦性的超宽带CMOS功率放大器(PA).采用共源共栅级联共源结构的两级放大电路来克服功率增益的不足,采用电流复用技术提高工作频段内高频处的增益,级间电感和电阻并联负反馈结构可改善增益的平坦性.采用TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺库进行设计和仿真.仿真结果表明,输入回波损耗(S11)小于-8dB,输出回波损耗(S22)小于-4 dB,平均功率增益为22 dB,增益平坦度约为0.8dB.4 GHz时输出1-dB压缩点为7 dBm,功率附加效率(PAE)达到12.5％,电路总体功耗为33 mW.
設計瞭一種工作在3～5 GHz頻段、具有極好的增益與平坦性的超寬帶CMOS功率放大器(PA).採用共源共柵級聯共源結構的兩級放大電路來剋服功率增益的不足,採用電流複用技術提高工作頻段內高頻處的增益,級間電感和電阻併聯負反饋結構可改善增益的平坦性.採用TSMC 0.18 μm RF CMOS工藝庫進行設計和倣真.倣真結果錶明,輸入迴波損耗(S11)小于-8dB,輸齣迴波損耗(S22)小于-4 dB,平均功率增益為22 dB,增益平坦度約為0.8dB.4 GHz時輸齣1-dB壓縮點為7 dBm,功率附加效率(PAE)達到12.5％,電路總體功耗為33 mW.
설계료일충공작재3～5 GHz빈단、구유겁호적증익여평탄성적초관대CMOS공솔방대기(PA).채용공원공책급련공원결구적량급방대전로래극복공솔증익적불족,채용전류복용기술제고공작빈단내고빈처적증익,급간전감화전조병련부반궤결구가개선증익적평탄성.채용TSMC 0.18 μm RF CMOS공예고진행설계화방진.방진결과표명,수입회파손모(S11)소우-8dB,수출회파손모(S22)소우-4 dB,평균공솔증익위22 dB,증익평탄도약위0.8dB.4 GHz시수출1-dB압축점위7 dBm,공솔부가효솔(PAE)체도12.5％,전로총체공모위33 mW.
