固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
2期
194-198
,共5页
梁海莲%董树荣%顾晓峰%李明亮%韩雁
樑海蓮%董樹榮%顧曉峰%李明亮%韓雁
량해련%동수영%고효봉%리명량%한안
栅接地N型金属氧化物半导体场效应晶体管%静电放电%双极型-互补型金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体工艺%叉指%金属布线%失效电流
柵接地N型金屬氧化物半導體場效應晶體管%靜電放電%雙極型-互補型金屬氧化物半導體-雙擴散金屬氧化物半導體工藝%扠指%金屬佈線%失效電流
책접지N형금속양화물반도체장효응정체관%정전방전%쌍겁형-호보형금속양화물반도체-쌍확산금속양화물반도체공예%차지%금속포선%실효전류
栅接地NMOS (GGNMOS)器件具有与CMOS工艺兼容的制造优势,广泛用于静电放电(ESD)保护.鉴于目前GGNMOS的叉指宽度、叉指数及金属布线方式等外部因素对ESD鲁棒性的影响研究较少,设计了不同的实验对此开展对比分析.首先,基于0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS (BCD)工艺设计并制备了一系列GGNMOS待测器件；其次,通过传输线脉冲测试,分析了叉指宽度与叉指数对GGNMOS器件ESD失效电流(It2)的影响,结果表明,在固定总宽度下适当减小叉指宽度有利于提高Jt2；最后,比较了平行式与交错式两种金属布线方案对Jt2的影响,结果表明,平行式金属布线下GGNMOS器件的ESD鲁棒性更好.
柵接地NMOS (GGNMOS)器件具有與CMOS工藝兼容的製造優勢,廣汎用于靜電放電(ESD)保護.鑒于目前GGNMOS的扠指寬度、扠指數及金屬佈線方式等外部因素對ESD魯棒性的影響研究較少,設計瞭不同的實驗對此開展對比分析.首先,基于0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS (BCD)工藝設計併製備瞭一繫列GGNMOS待測器件；其次,通過傳輸線脈遲測試,分析瞭扠指寬度與扠指數對GGNMOS器件ESD失效電流(It2)的影響,結果錶明,在固定總寬度下適噹減小扠指寬度有利于提高Jt2；最後,比較瞭平行式與交錯式兩種金屬佈線方案對Jt2的影響,結果錶明,平行式金屬佈線下GGNMOS器件的ESD魯棒性更好.
책접지NMOS (GGNMOS)기건구유여CMOS공예겸용적제조우세,엄범용우정전방전(ESD)보호.감우목전GGNMOS적차지관도、차지수급금속포선방식등외부인소대ESD로봉성적영향연구교소,설계료불동적실험대차개전대비분석.수선,기우0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS (BCD)공예설계병제비료일계렬GGNMOS대측기건；기차,통과전수선맥충측시,분석료차지관도여차지수대GGNMOS기건ESD실효전류(It2)적영향,결과표명,재고정총관도하괄당감소차지관도유리우제고Jt2；최후,비교료평행식여교착식량충금속포선방안대Jt2적영향,결과표명,평행식금속포선하GGNMOS기건적ESD로봉성경호.
