固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
2期
130-134
,共5页
张有涛%李晓鹏%张敏%陈新宇%杨磊
張有濤%李曉鵬%張敏%陳新宇%楊磊
장유도%리효붕%장민%진신우%양뢰
串转并降速芯片%D触发器%异质结双极晶体管%无杂散噪声动态范围
串轉併降速芯片%D觸髮器%異質結雙極晶體管%無雜散譟聲動態範圍
천전병강속심편%D촉발기%이질결쌍겁정체관%무잡산조성동태범위
基于1 μm GaAs HBT工艺设计并实现了一种26 GS/s单bit量化降速芯片.芯片采用树形级联架构,集成前端宽带比较器,综合优化各级降速单元拓扑,在功耗、速度各方面达到最优化.测试结果表明,芯片在26 GS/s转换速率下,其SFDR大于8 dBc,数据带宽达13 GHz,显示出其在电子对抗及高速数据处理方面的潜力.
基于1 μm GaAs HBT工藝設計併實現瞭一種26 GS/s單bit量化降速芯片.芯片採用樹形級聯架構,集成前耑寬帶比較器,綜閤優化各級降速單元拓撲,在功耗、速度各方麵達到最優化.測試結果錶明,芯片在26 GS/s轉換速率下,其SFDR大于8 dBc,數據帶寬達13 GHz,顯示齣其在電子對抗及高速數據處理方麵的潛力.
기우1 μm GaAs HBT공예설계병실현료일충26 GS/s단bit양화강속심편.심편채용수형급련가구,집성전단관대비교기,종합우화각급강속단원탁복,재공모、속도각방면체도최우화.측시결과표명,심편재26 GS/s전환속솔하,기SFDR대우8 dBc,수거대관체13 GHz,현시출기재전자대항급고속수거처리방면적잠력.
