H型栅SOI MOS作为静电保护器件的维持电压的研究
H형책SOI MOS작위정전보호기건적유지전압적연구
Investigation on Holding Voltage of H-gate SOI MOS as ESD Protection Device
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2013年 2期 108-111 ,共4页

    姜一波%曾传滨%罗家俊%韩郑生

    강일파%증전빈%라가준%한정생

    绝缘体上硅%静电保护%维持电压 絕緣體上硅%靜電保護%維持電壓
    절연체상규%정전보호%유지전압
    SOI (silicon on insulator)%ESD (electrostatic discharge) protection%holding voltage
    对绝缘体上硅工艺来说,静电保护可靠性是一个关键且具有挑战性的问题.着重于研究H型栅SOIMOS的维持电压,通过实验发现此器件的维持电压与栅宽紧密联系.结合TCAD仿真解释了器件的工作机理,通过建立集约模型并由HSPICE仿真,揭示了体电阻与维持电压之间的关系.
    대절연체상규공예래설,정전보호가고성시일개관건차구유도전성적문제.착중우연구H형책SOIMOS적유지전압,통과실험발현차기건적유지전압여책관긴밀련계.결합TCAD방진해석료기건적공작궤리,통과건립집약모형병유HSPICE방진,게시료체전조여유지전압지간적관계.
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