深结短沟道MOS晶体管准二维阈值电压模型
심결단구도MOS정체관준이유역치전압모형
A Quasi-2D Threshold Voltage Model for Deep-junction and Short-channel MOSFETs
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2013年 2期 103-107,118 ,共6页

    周少阳%柯导明%夏丹%王保童%申静

    주소양%가도명%하단%왕보동%신정

    阈值电压%短沟道效应%表面势%金属氧化物半导体场效应晶体管 閾值電壓%短溝道效應%錶麵勢%金屬氧化物半導體場效應晶體管
    역치전압%단구도효응%표면세%금속양화물반도체장효응정체관
    提出了一个新的短沟道MOS晶体管表面势的准二维解析模型.不同于经典模型,该模型对沟道耗尽层横向剖分,由高斯定理导出沟道耗尽层电势的一维微分方程,方程考虑了漏、源的横向电场对沟道耗尽层厚度的影响.求解方程得到了耗尽层厚度与表面势的关系函数,由此得出了一个包含有沟道长度的阈值电压公式.通过MEDICI软件对多种不同参数的MOS晶体管进行了仿真,此模型计算结果与MEDICI仿真数据吻合较好,比电荷分享模型精度高.
    제출료일개신적단구도MOS정체관표면세적준이유해석모형.불동우경전모형,해모형대구도모진층횡향부분,유고사정리도출구도모진층전세적일유미분방정,방정고필료루、원적횡향전장대구도모진층후도적영향.구해방정득도료모진층후도여표면세적관계함수,유차득출료일개포함유구도장도적역치전압공식.통과MEDICI연건대다충불동삼수적MOS정체관진행료방진,차모형계산결과여MEDICI방진수거문합교호,비전하분향모형정도고.
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