电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2013年
2期
139-142
,共4页
戚帆%檀柏梅%翁坤%宋雯
慼帆%檀柏梅%翁坤%宋雯
척범%단백매%옹곤%송문
绝缘体上硅%LDMOS%器件流片测试%器件结构%直流特性
絕緣體上硅%LDMOS%器件流片測試%器件結構%直流特性
절연체상규%LDMOS%기건류편측시%기건결구%직류특성
随着功率器件尺寸的不断缩小,绝缘体上硅技术所受的关注度日益增加.在0.18μm工艺条件下基于SOI技术,运用SILVACO公司的工艺仿真(Athena)和(Atlas)器件仿真模拟软件,完成了对60 V LDMOS的设计与分析,对不同沟道管宽度的器件进行研究,并结合实际流片的测试结果,对器件直流性能进行了表征与分析,发现SOI器件无明显的由氧化埋层隔离作用所产生的显著影响器件性能的浮体效应和kink效应,实现了性能优良的小尺寸60 V LDMOS器件.
隨著功率器件呎吋的不斷縮小,絕緣體上硅技術所受的關註度日益增加.在0.18μm工藝條件下基于SOI技術,運用SILVACO公司的工藝倣真(Athena)和(Atlas)器件倣真模擬軟件,完成瞭對60 V LDMOS的設計與分析,對不同溝道管寬度的器件進行研究,併結閤實際流片的測試結果,對器件直流性能進行瞭錶徵與分析,髮現SOI器件無明顯的由氧化埋層隔離作用所產生的顯著影響器件性能的浮體效應和kink效應,實現瞭性能優良的小呎吋60 V LDMOS器件.
수착공솔기건척촌적불단축소,절연체상규기술소수적관주도일익증가.재0.18μm공예조건하기우SOI기술,운용SILVACO공사적공예방진(Athena)화(Atlas)기건방진모의연건,완성료대60 V LDMOS적설계여분석,대불동구도관관도적기건진행연구,병결합실제류편적측시결과,대기건직류성능진행료표정여분석,발현SOI기건무명현적유양화매층격리작용소산생적현저영향기건성능적부체효응화kink효응,실현료성능우량적소척촌60 V LDMOS기건.
