计算机与数字工程
計算機與數字工程
계산궤여수자공정
COMPUTER & DIGITAL ENGINEERING
2013年
11期
1772-1773,1849
,共3页
结温%功耗%金属氧化物场效应晶体管%绝缘双栅极型动率管
結溫%功耗%金屬氧化物場效應晶體管%絕緣雙柵極型動率管
결온%공모%금속양화물장효응정체관%절연쌍책겁형동솔관
junction temperature%power loss%MOSFET%IGBT
目前,开关管MOSFET和IGBT是固态发射机常用的功率放大器,但是选择MOSFET还是IGBT,还是要根据实际需要.论文对额定功率值相同的MOSFET和IGBT进行对比分析,不仅从器件的构造与特征、电性能参数、温度效应等方面考虑,而且介绍了一种计算总功耗、可使用开关频率和结温的方法.计算结果表明:IGBT的总功耗略小于MOSFET,IGBT优于MOSFET.
目前,開關管MOSFET和IGBT是固態髮射機常用的功率放大器,但是選擇MOSFET還是IGBT,還是要根據實際需要.論文對額定功率值相同的MOSFET和IGBT進行對比分析,不僅從器件的構造與特徵、電性能參數、溫度效應等方麵攷慮,而且介紹瞭一種計算總功耗、可使用開關頻率和結溫的方法.計算結果錶明:IGBT的總功耗略小于MOSFET,IGBT優于MOSFET.
목전,개관관MOSFET화IGBT시고태발사궤상용적공솔방대기,단시선택MOSFET환시IGBT,환시요근거실제수요.논문대액정공솔치상동적MOSFET화IGBT진행대비분석,불부종기건적구조여특정、전성능삼수、온도효응등방면고필,이차개소료일충계산총공모、가사용개관빈솔화결온적방법.계산결과표명:IGBT적총공모략소우MOSFET,IGBT우우MOSFET.
