佳木斯大学学报（自然科学版）
佳木斯大學學報（自然科學版）
가목사대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF JIAMUSI UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE EDITION)
2013年
2期
299-302
,共4页
高电子迁移率晶体管%有限元法%沟道温度
高電子遷移率晶體管%有限元法%溝道溫度
고전자천이솔정체관%유한원법%구도온도
GaN作为第三代半导体材料,具有大的禁带宽度,高的饱和速度以及非常高的漏电流密度,导致了A1GaN/GaN HEMTs器件在高温,高功率应用方面脱颖而出.本文通过使用有限元法,实现了在稳态条件下对高电子迁移率晶体管(HEMTs)的温度分布,得到了沟道温度随着沟道位置的不同而不同的变化图.通过仿真得到,在中心沟道处的温度最高,以及随着远离沟道中心,沟道温度将会减小的结论.
GaN作為第三代半導體材料,具有大的禁帶寬度,高的飽和速度以及非常高的漏電流密度,導緻瞭A1GaN/GaN HEMTs器件在高溫,高功率應用方麵脫穎而齣.本文通過使用有限元法,實現瞭在穩態條件下對高電子遷移率晶體管(HEMTs)的溫度分佈,得到瞭溝道溫度隨著溝道位置的不同而不同的變化圖.通過倣真得到,在中心溝道處的溫度最高,以及隨著遠離溝道中心,溝道溫度將會減小的結論.
GaN작위제삼대반도체재료,구유대적금대관도,고적포화속도이급비상고적루전류밀도,도치료A1GaN/GaN HEMTs기건재고온,고공솔응용방면탈영이출.본문통과사용유한원법,실현료재은태조건하대고전자천이솔정체관(HEMTs)적온도분포,득도료구도온도수착구도위치적불동이불동적변화도.통과방진득도,재중심구도처적온도최고,이급수착원리구도중심,구도온도장회감소적결론.
