微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
3期
445-448
,共4页
李念龙%于奇%王凯%于文华%董铸祥
李唸龍%于奇%王凱%于文華%董鑄祥
리념룡%우기%왕개%우문화%동주상
MOS%γ辐射%总剂量辐射%陷阱电荷%TCAD%仿真模型
MOS%γ輻射%總劑量輻射%陷阱電荷%TCAD%倣真模型
MOS%γ복사%총제량복사%함정전하%TCAD%방진모형
MOS%γ radiation%Total dose irradiation%Trapped charge%TCAD%Simulation model
研究了对MOS结构的γ射线总剂量辐射效应进行Sentaurus TCAD仿真所需模型的有效性.仿真结果表明,Sentaurus TCAD提供的Radiation模型和Traps模型在氧化物中并不能被激活,而利用激活氧化物体区和Si/SiO2界面的Insulator Fixed Charges模型可以分别对γ总剂量辐射造成的氧化层固定电荷和Si/SiO2界面陷阱电荷进行有效的模拟仿真.
研究瞭對MOS結構的γ射線總劑量輻射效應進行Sentaurus TCAD倣真所需模型的有效性.倣真結果錶明,Sentaurus TCAD提供的Radiation模型和Traps模型在氧化物中併不能被激活,而利用激活氧化物體區和Si/SiO2界麵的Insulator Fixed Charges模型可以分彆對γ總劑量輻射造成的氧化層固定電荷和Si/SiO2界麵陷阱電荷進行有效的模擬倣真.
연구료대MOS결구적γ사선총제량복사효응진행Sentaurus TCAD방진소수모형적유효성.방진결과표명,Sentaurus TCAD제공적Radiation모형화Traps모형재양화물중병불능피격활,이이용격활양화물체구화Si/SiO2계면적Insulator Fixed Charges모형가이분별대γ총제량복사조성적양화층고정전하화Si/SiO2계면함정전하진행유효적모의방진.
