微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
3期
431-434
,共4页
SiGe%异质结双极晶体管%基区优化%Ge组分%掺杂浓度
SiGe%異質結雙極晶體管%基區優化%Ge組分%摻雜濃度
SiGe%이질결쌍겁정체관%기구우화%Ge조분%참잡농도
SiGe%HBT%Base-region optimization%Ge component%Doping concentration
对应用于高频微波功率放大器的SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区进行了优化.研究发现,器件对基区Ge组分以及掺杂浓度十分敏感.采用重掺杂基区,适当提高Ge组分并形成合适的浓度分布,可以有效地改进SiGe HBT的直流特性,同时能够提高器件的特征频率.晶体管主要性能的提高使SiGe HBT技术在微波射频等高频电子领域得到更加广泛的应用.
對應用于高頻微波功率放大器的SiGe異質結雙極晶體管(HBT)的基區進行瞭優化.研究髮現,器件對基區Ge組分以及摻雜濃度十分敏感.採用重摻雜基區,適噹提高Ge組分併形成閤適的濃度分佈,可以有效地改進SiGe HBT的直流特性,同時能夠提高器件的特徵頻率.晶體管主要性能的提高使SiGe HBT技術在微波射頻等高頻電子領域得到更加廣汎的應用.
대응용우고빈미파공솔방대기적SiGe이질결쌍겁정체관(HBT)적기구진행료우화.연구발현,기건대기구Ge조분이급참잡농도십분민감.채용중참잡기구,괄당제고Ge조분병형성합괄적농도분포,가이유효지개진SiGe HBT적직류특성,동시능구제고기건적특정빈솔.정체관주요성능적제고사SiGe HBT기술재미파사빈등고빈전자영역득도경가엄범적응용.
