异质栅碳纳米管场效应管电学特性研究
이질책탄납미관장효응관전학특성연구
Investigation into Electrical Characteristics of Hetero-Gate CNTFETs
  • 万方数据
    微电子学 미전자학
    MICROELECTRONICS
    2013年 3期 419-422,434 ,共5页

    王伟%任雨舟%陈将伟%夏春萍%李浩%郑丽芬%李金%杨恒新%李锐

    왕위%임우주%진장위%하춘평%리호%정려분%리금%양항신%리예

    碳纳米管场效应管%非平衡格林函数%异质栅%量子力学模型 碳納米管場效應管%非平衡格林函數%異質柵%量子力學模型
    탄납미관장효응관%비평형격림함수%이질책%양자역학모형
    CNTFET%NEGF%Hetero-gate%Quantum dynamic model
    采用一种量子力学模型,研究了类MOSFET型碳纳米管场效应管(CNTFET)的电流特性.该模型基于二维非平衡格林函数(NEGF)方程和泊松(Poisson)方程自洽全量子数值解.结合器件的工作原理,研究了器件结构尺寸效应,比较分析单栅、异质栅CNTFET的电学特性.研究结果表明,与单橱结构相比,异质栅器件结构具有更低的泄漏电流、更高的电流开关比,并且,在15 nm技术节点以上,异质栅CNTFET器件能够较好地满足ITRS'10的相关性能指标要求.
    채용일충양자역학모형,연구료류MOSFET형탄납미관장효응관(CNTFET)적전류특성.해모형기우이유비평형격림함수(NEGF)방정화박송(Poisson)방정자흡전양자수치해.결합기건적공작원리,연구료기건결구척촌효응,비교분석단책、이질책CNTFET적전학특성.연구결과표명,여단주결구상비,이질책기건결구구유경저적설루전류、경고적전류개관비,병차,재15 nm기술절점이상,이질책CNTFET기건능구교호지만족ITRS'10적상관성능지표요구.
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