微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
3期
369-374
,共6页
周荣俊%张金艺%唐夏%李娟娟%张秉煜
週榮俊%張金藝%唐夏%李娟娟%張秉煜
주영준%장금예%당하%리연연%장병욱
单粒子效应%CPSH触发器%C单元
單粒子效應%CPSH觸髮器%C單元
단입자효응%CPSH촉발기%C단원
Single event effect%Clock pre-charge SEU hardened flip-flop%C element
针对触发器在纳米级工艺下容易受空间辐射中单粒子效应的影响而产生软错误的情况,基于CPSH触发器结构,研究了一种对单粒子效应中SET/SEU加固的延时采样软错误防护(DSSEP)触发器结构.该触发器由延时采样单元、输入传输单元、软错误鲁棒存储锁存器和反相输出单元组成.延时采样单元对来自其他逻辑电路的输出数据进行采样,采样数据经输入传输单元写入软错误鲁棒存储锁存器,并通过一个反相输出单元输出.仿真结果表明,DSSEP触发器具有很好的SET/SEU加固能力.经过比较和分析,证明DSSEP触发器与具有同样SET/SEU加固能力的保护门触发器(GGFF)相比,在晶体管数目和传播延时方面仅为GGFF的62％和33％.
針對觸髮器在納米級工藝下容易受空間輻射中單粒子效應的影響而產生軟錯誤的情況,基于CPSH觸髮器結構,研究瞭一種對單粒子效應中SET/SEU加固的延時採樣軟錯誤防護(DSSEP)觸髮器結構.該觸髮器由延時採樣單元、輸入傳輸單元、軟錯誤魯棒存儲鎖存器和反相輸齣單元組成.延時採樣單元對來自其他邏輯電路的輸齣數據進行採樣,採樣數據經輸入傳輸單元寫入軟錯誤魯棒存儲鎖存器,併通過一箇反相輸齣單元輸齣.倣真結果錶明,DSSEP觸髮器具有很好的SET/SEU加固能力.經過比較和分析,證明DSSEP觸髮器與具有同樣SET/SEU加固能力的保護門觸髮器(GGFF)相比,在晶體管數目和傳播延時方麵僅為GGFF的62％和33％.
침대촉발기재납미급공예하용역수공간복사중단입자효응적영향이산생연착오적정황,기우CPSH촉발기결구,연구료일충대단입자효응중SET/SEU가고적연시채양연착오방호(DSSEP)촉발기결구.해촉발기유연시채양단원、수입전수단원、연착오로봉존저쇄존기화반상수출단원조성.연시채양단원대래자기타라집전로적수출수거진행채양,채양수거경수입전수단원사입연착오로봉존저쇄존기,병통과일개반상수출단원수출.방진결과표명,DSSEP촉발기구유흔호적SET/SEU가고능력.경과비교화분석,증명DSSEP촉발기여구유동양SET/SEU가고능력적보호문촉발기(GGFF)상비,재정체관수목화전파연시방면부위GGFF적62％화33％.
