微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
3期
359-363,368
,共6页
LDO%线性稳压器%微功耗%固定输出%可调输出
LDO%線性穩壓器%微功耗%固定輸齣%可調輸齣
LDO%선성은압기%미공모%고정수출%가조수출
LDO%Linear regulator%Ultra-low power dissipation%Fixed output%Adjustable output
设计了一种新颖的LDO线性稳压器.该LDO工作于负电源,具有微功耗、自身固定-5 V输出、外接反馈电阻可实现可调输出等特点.基于0.6 μm SOI CMOS工艺进行流片.测试结果表明,该电路输入电源电压VIN为-2～-18 V,可调输出电压为-1.3 V～VIN+0.5 V@Iour=15mA.该LDO功耗低,室温下空载静态电流约4.8μA,并且几乎不随VIN变化.内部带隙电压基准采用β二阶补偿,结构简单,温度系数为1.28×10-5/℃.线性调整率为0.015％,负载调整率为0.85 Ω.
設計瞭一種新穎的LDO線性穩壓器.該LDO工作于負電源,具有微功耗、自身固定-5 V輸齣、外接反饋電阻可實現可調輸齣等特點.基于0.6 μm SOI CMOS工藝進行流片.測試結果錶明,該電路輸入電源電壓VIN為-2～-18 V,可調輸齣電壓為-1.3 V～VIN+0.5 V@Iour=15mA.該LDO功耗低,室溫下空載靜態電流約4.8μA,併且幾乎不隨VIN變化.內部帶隙電壓基準採用β二階補償,結構簡單,溫度繫數為1.28×10-5/℃.線性調整率為0.015％,負載調整率為0.85 Ω.
설계료일충신영적LDO선성은압기.해LDO공작우부전원,구유미공모、자신고정-5 V수출、외접반궤전조가실현가조수출등특점.기우0.6 μm SOI CMOS공예진행류편.측시결과표명,해전로수입전원전압VIN위-2～-18 V,가조수출전압위-1.3 V～VIN+0.5 V@Iour=15mA.해LDO공모저,실온하공재정태전류약4.8μA,병차궤호불수VIN변화.내부대극전압기준채용β이계보상,결구간단,온도계수위1.28×10-5/℃.선성조정솔위0.015％,부재조정솔위0.85 Ω.
