微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
3期
341-344,349
,共5页
正电子发射断层成像%碲锌镉探测器%前端读出%电荷灵敏放大器
正電子髮射斷層成像%碲鋅鎘探測器%前耑讀齣%電荷靈敏放大器
정전자발사단층성상%제자력탐측기%전단독출%전하령민방대기
PET%CZT detector%Front-end readout%Charge sensing amplifier
采用TSMC 0.35 μm CMOS工艺,设计了CZT探测器低噪声读出电路链和一款多通道能量读出ASIC,该电路将应用于8×8 CZT像素探测器的能量读出.给出了系统框图及低噪声能量读出电路链,分析了低噪声技术策略.实验结果表明,能量分辨范围为20 keV～4 MeV,等效噪声电荷(ENC)小于150个电子,电荷转电压增益为9.2 V/pC,非线性度小于3％,多通道串扰小于10个电子,满足设计需求.
採用TSMC 0.35 μm CMOS工藝,設計瞭CZT探測器低譟聲讀齣電路鏈和一款多通道能量讀齣ASIC,該電路將應用于8×8 CZT像素探測器的能量讀齣.給齣瞭繫統框圖及低譟聲能量讀齣電路鏈,分析瞭低譟聲技術策略.實驗結果錶明,能量分辨範圍為20 keV～4 MeV,等效譟聲電荷(ENC)小于150箇電子,電荷轉電壓增益為9.2 V/pC,非線性度小于3％,多通道串擾小于10箇電子,滿足設計需求.
채용TSMC 0.35 μm CMOS공예,설계료CZT탐측기저조성독출전로련화일관다통도능량독출ASIC,해전로장응용우8×8 CZT상소탐측기적능량독출.급출료계통광도급저조성능량독출전로련,분석료저조성기술책략.실험결과표명,능량분변범위위20 keV～4 MeV,등효조성전하(ENC)소우150개전자,전하전전압증익위9.2 V/pC,비선성도소우3％,다통도천우소우10개전자,만족설계수구.
