微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
3期
333-336
,共4页
宁宁%倪春晓%李靖%宋文青%朱波%徐双恒%郑杰
寧寧%倪春曉%李靖%宋文青%硃波%徐雙恆%鄭傑
저저%예춘효%리정%송문청%주파%서쌍항%정걸
AB类%折叠共源共栅%音频放大器%A/D转换器
AB類%摺疊共源共柵%音頻放大器%A/D轉換器
AB류%절첩공원공책%음빈방대기%A/D전환기
Class-AB%Folded-cascode%Amplifier%A/D converter
设计了一种高性能AB类折叠共源共栅CMOS音频放大器.该放大器的输入级采用折叠共源共栅结构,可以优化输入共模范围,提高增益；输出级采用AB类推挽结构,实现了全摆幅输出.基于65 nm/2.5 V CMOS工艺,对整个电路进行Hspice仿真.结果表明,设计的放大器开环增益为140 dB,电源抑制比为138 dB,共模抑制比为117 dB,总谐波失真为-113 dB.该放大器已被应用于音频∑-△A/D转换器的设计中.
設計瞭一種高性能AB類摺疊共源共柵CMOS音頻放大器.該放大器的輸入級採用摺疊共源共柵結構,可以優化輸入共模範圍,提高增益；輸齣級採用AB類推輓結構,實現瞭全襬幅輸齣.基于65 nm/2.5 V CMOS工藝,對整箇電路進行Hspice倣真.結果錶明,設計的放大器開環增益為140 dB,電源抑製比為138 dB,共模抑製比為117 dB,總諧波失真為-113 dB.該放大器已被應用于音頻∑-△A/D轉換器的設計中.
설계료일충고성능AB류절첩공원공책CMOS음빈방대기.해방대기적수입급채용절첩공원공책결구,가이우화수입공모범위,제고증익；수출급채용AB유추만결구,실현료전파폭수출.기우65 nm/2.5 V CMOS공예,대정개전로진행Hspice방진.결과표명,설계적방대기개배증익위140 dB,전원억제비위138 dB,공모억제비위117 dB,총해파실진위-113 dB.해방대기이피응용우음빈∑-△A/D전환기적설계중.
