微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
3期
329-332,336
,共5页
汪洋%杨洪文%张海鹏%阎跃鹏%刘宇辙
汪洋%楊洪文%張海鵬%閻躍鵬%劉宇轍
왕양%양홍문%장해붕%염약붕%류우철
射频矩阵开关%逻辑解码器%插入损耗
射頻矩陣開關%邏輯解碼器%插入損耗
사빈구진개관%라집해마기%삽입손모
RF matrix switch%Logic decoder%Insertion loss
基于0.5μm GaAs pHEMT工艺,设计了一种应用于950～2 150 MHz的4×2射频矩阵开关.该矩阵开关有四路输入两路输出,通过控制片内集成的4比特数字逻辑解码器电路,两路输出端口可以任意选择4路输入射频信号中的任意两路信号,或者同时选通一路信号,并在输出端集成负载检测功能.开关的工作电压为5V,在950～2 150 MHz的频率范围内,其插入损耗低于5.6dB,隔离度高于37 dB,每个输入和输出端口的回波损耗大于13 dB,功率容量为19.4 dBm,开关的最大功耗为8 mW,适合多模多频段射频前端的应用.
基于0.5μm GaAs pHEMT工藝,設計瞭一種應用于950～2 150 MHz的4×2射頻矩陣開關.該矩陣開關有四路輸入兩路輸齣,通過控製片內集成的4比特數字邏輯解碼器電路,兩路輸齣耑口可以任意選擇4路輸入射頻信號中的任意兩路信號,或者同時選通一路信號,併在輸齣耑集成負載檢測功能.開關的工作電壓為5V,在950～2 150 MHz的頻率範圍內,其插入損耗低于5.6dB,隔離度高于37 dB,每箇輸入和輸齣耑口的迴波損耗大于13 dB,功率容量為19.4 dBm,開關的最大功耗為8 mW,適閤多模多頻段射頻前耑的應用.
기우0.5μm GaAs pHEMT공예,설계료일충응용우950～2 150 MHz적4×2사빈구진개관.해구진개관유사로수입량로수출,통과공제편내집성적4비특수자라집해마기전로,량로수출단구가이임의선택4로수입사빈신호중적임의량로신호,혹자동시선통일로신호,병재수출단집성부재검측공능.개관적공작전압위5V,재950～2 150 MHz적빈솔범위내,기삽입손모저우5.6dB,격리도고우37 dB,매개수입화수출단구적회파손모대우13 dB,공솔용량위19.4 dBm,개관적최대공모위8 mW,괄합다모다빈단사빈전단적응용.
