微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
3期
325-328
,共4页
氮化镓%功率放大器%宽带%电抗匹配
氮化鎵%功率放大器%寬帶%電抗匹配
담화가%공솔방대기%관대%전항필배
GaN%Power amplifier%Wideband%Reactive matching network
针对GaN HEMT的自身特性,采用电抗匹配放大器结构,基于ADS谐波平衡仿真软件,设计了一个1～2 GHz宽带功率放大器.设计采用Cree公司提供的CGH400系列GaNHEMT大信号模型,并用混合集成电路工艺实现了功率放大器.测试结果显示,功率放大器在1～2 GHz频带内,饱和输出功率大于40.2 dBm,小信号增益大于14 dB,最大PAE大于70％.
針對GaN HEMT的自身特性,採用電抗匹配放大器結構,基于ADS諧波平衡倣真軟件,設計瞭一箇1～2 GHz寬帶功率放大器.設計採用Cree公司提供的CGH400繫列GaNHEMT大信號模型,併用混閤集成電路工藝實現瞭功率放大器.測試結果顯示,功率放大器在1～2 GHz頻帶內,飽和輸齣功率大于40.2 dBm,小信號增益大于14 dB,最大PAE大于70％.
침대GaN HEMT적자신특성,채용전항필배방대기결구,기우ADS해파평형방진연건,설계료일개1～2 GHz관대공솔방대기.설계채용Cree공사제공적CGH400계렬GaNHEMT대신호모형,병용혼합집성전로공예실현료공솔방대기.측시결과현시,공솔방대기재1～2 GHz빈대내,포화수출공솔대우40.2 dBm,소신호증익대우14 dB,최대PAE대우70％.
