华南理工大学学报（自然科学版）
華南理工大學學報（自然科學版）
화남리공대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2013年
5期
28-33
,共6页
混频器%乘法器%双平衡%线性度%互补金属氧化物半导体
混頻器%乘法器%雙平衡%線性度%互補金屬氧化物半導體
혼빈기%승법기%쌍평형%선성도%호보금속양화물반도체
mixer%multiplier%double balance%linearity%complementary metal oxide semiconductor
设计了一款用于无线通信射频系统的新型双平衡混频器芯片,该混频器的输出信号中不存在与射频输入信号相关的二次非理想项,具有高线性度.该混频器基于新型乘法器结构,在两个工作于线性区的对称金属氧化物半导体(MOS)晶体管的源、漏两极加入差分射频信号,在其栅极加入差分本振信号,从而以低复杂度方式实现射频信号与本振信号的双平衡混频或相乘；采用差分推挽放大器及源随器作为芯片的输出缓冲接口,改善了芯片与片外电路之间的隔离度,提高了功率增益和输出匹配性能.芯片采用0.18 μm射频(RF)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺流片,实现超宽频带范围内的信号混频或相乘,1 dB压缩点2.9 dBm,三阶交调16 dBm,总功耗25 mW,芯片性能良好,可以满足高性能、超宽带、高速无线通信系统的要求.
設計瞭一款用于無線通信射頻繫統的新型雙平衡混頻器芯片,該混頻器的輸齣信號中不存在與射頻輸入信號相關的二次非理想項,具有高線性度.該混頻器基于新型乘法器結構,在兩箇工作于線性區的對稱金屬氧化物半導體(MOS)晶體管的源、漏兩極加入差分射頻信號,在其柵極加入差分本振信號,從而以低複雜度方式實現射頻信號與本振信號的雙平衡混頻或相乘；採用差分推輓放大器及源隨器作為芯片的輸齣緩遲接口,改善瞭芯片與片外電路之間的隔離度,提高瞭功率增益和輸齣匹配性能.芯片採用0.18 μm射頻(RF)互補金屬氧化物半導體(CMOS)工藝流片,實現超寬頻帶範圍內的信號混頻或相乘,1 dB壓縮點2.9 dBm,三階交調16 dBm,總功耗25 mW,芯片性能良好,可以滿足高性能、超寬帶、高速無線通信繫統的要求.
설계료일관용우무선통신사빈계통적신형쌍평형혼빈기심편,해혼빈기적수출신호중불존재여사빈수입신호상관적이차비이상항,구유고선성도.해혼빈기기우신형승법기결구,재량개공작우선성구적대칭금속양화물반도체(MOS)정체관적원、루량겁가입차분사빈신호,재기책겁가입차분본진신호,종이이저복잡도방식실현사빈신호여본진신호적쌍평형혼빈혹상승；채용차분추만방대기급원수기작위심편적수출완충접구,개선료심편여편외전로지간적격리도,제고료공솔증익화수출필배성능.심편채용0.18 μm사빈(RF)호보금속양화물반도체(CMOS)공예류편,실현초관빈대범위내적신호혼빈혹상승,1 dB압축점2.9 dBm,삼계교조16 dBm,총공모25 mW,심편성능량호,가이만족고성능、초관대、고속무선통신계통적요구.
