华南理工大学学报（自然科学版）
華南理工大學學報（自然科學版）
화남리공대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2013年
6期
11-16
,共6页
王聪%刘玉荣%李星活%苏晶%姚若河
王聰%劉玉榮%李星活%囌晶%姚若河
왕총%류옥영%리성활%소정%요약하
薄膜晶体管%氧化锌%光诱导%稳定性
薄膜晶體管%氧化鋅%光誘導%穩定性
박막정체관%양화자%광유도%은정성
thin film transistors%zinc oxide%photoinduction%stability
为促进氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)在有源驱动平板显示领域中的实际应用,以高纯氧化锌(ZnO)为靶材,采用射频磁控溅射法沉积ZnO薄膜作为半导体活性层,制备出ZnO-TFT,研究了可见光诱导引起的器件特性的不稳定性.实验结果表明:在可见光照射下,该ZnO-TFT器件呈现出一定程度的不稳定性；随着光照强度的增加,迁移率稍有增大,阈值电压有微弱的减小；漏电流的相对变化量受栅电压控制,即在开态时相对变化量较小,对于2 210 lx的照射强度,相对变化量的最小值为0.58,而在亚阈值区和关态时,漏电流受光照强度的影响较大,在相同强度的光照射下相对变化量的最大值为36.29.对可见光诱导不稳定性恢复过程的研究发现,光照关断后的恢复过程相对缓慢,且随时间呈现出先快后慢的现象.
為促進氧化鋅薄膜晶體管(ZnO-TFT)在有源驅動平闆顯示領域中的實際應用,以高純氧化鋅(ZnO)為靶材,採用射頻磁控濺射法沉積ZnO薄膜作為半導體活性層,製備齣ZnO-TFT,研究瞭可見光誘導引起的器件特性的不穩定性.實驗結果錶明:在可見光照射下,該ZnO-TFT器件呈現齣一定程度的不穩定性；隨著光照彊度的增加,遷移率稍有增大,閾值電壓有微弱的減小；漏電流的相對變化量受柵電壓控製,即在開態時相對變化量較小,對于2 210 lx的照射彊度,相對變化量的最小值為0.58,而在亞閾值區和關態時,漏電流受光照彊度的影響較大,在相同彊度的光照射下相對變化量的最大值為36.29.對可見光誘導不穩定性恢複過程的研究髮現,光照關斷後的恢複過程相對緩慢,且隨時間呈現齣先快後慢的現象.
위촉진양화자박막정체관(ZnO-TFT)재유원구동평판현시영역중적실제응용,이고순양화자(ZnO)위파재,채용사빈자공천사법침적ZnO박막작위반도체활성층,제비출ZnO-TFT,연구료가견광유도인기적기건특성적불은정성.실험결과표명:재가견광조사하,해ZnO-TFT기건정현출일정정도적불은정성；수착광조강도적증가,천이솔초유증대,역치전압유미약적감소；루전류적상대변화량수책전압공제,즉재개태시상대변화량교소,대우2 210 lx적조사강도,상대변화량적최소치위0.58,이재아역치구화관태시,루전류수광조강도적영향교대,재상동강도적광조사하상대변화량적최대치위36.29.대가견광유도불은정성회복과정적연구발현,광조관단후적회복과정상대완만,차수시간정현출선쾌후만적현상.
