科学技术与工程
科學技術與工程
과학기술여공정
SCIENCE TECHNOLOGY AND ENGINEERING
2013年
18期
5339-5344
,共6页
王志%庞诚%平野%任晓黎%于大全
王誌%龐誠%平野%任曉黎%于大全
왕지%방성%평야%임효려%우대전
三维集成%硅通孔%全波电磁场仿真%插入损耗%Bosch刻蚀
三維集成%硅通孔%全波電磁場倣真%插入損耗%Bosch刻蝕
삼유집성%규통공%전파전자장방진%삽입손모%Bosch각식
3D Integration%TSV%full-wave simulation%insertion loss%Bosch process
详细分析了由Bosch刻蚀形成的侧壁形貌的粗糙度(Sidewall Roughness)对硅通孔(TSV)互连结构高频性能的影响,并通过全波电磁场仿真软件HFSS将粗糙侧壁TSV互连结构与平滑侧壁TSV互连结构的传输特性进行了详尽的对比.仿真结果显示,在相同的条件下,粗糙侧壁TSV结构的插入损耗比光滑侧壁TSV结构增加了15％,并且随着侧壁形貌粗糙度的增加,TSV互连结构的高频性能恶化更加严重.最后,通过对二氧化硅绝缘层厚度和TSV直径对TSV互连结构高频性能的影响,提出了补偿侧壁粗糙度对高频性能产生的不良影响的方法,为TSV电学设计提供参考依据.
詳細分析瞭由Bosch刻蝕形成的側壁形貌的粗糙度(Sidewall Roughness)對硅通孔(TSV)互連結構高頻性能的影響,併通過全波電磁場倣真軟件HFSS將粗糙側壁TSV互連結構與平滑側壁TSV互連結構的傳輸特性進行瞭詳儘的對比.倣真結果顯示,在相同的條件下,粗糙側壁TSV結構的插入損耗比光滑側壁TSV結構增加瞭15％,併且隨著側壁形貌粗糙度的增加,TSV互連結構的高頻性能噁化更加嚴重.最後,通過對二氧化硅絕緣層厚度和TSV直徑對TSV互連結構高頻性能的影響,提齣瞭補償側壁粗糙度對高頻性能產生的不良影響的方法,為TSV電學設計提供參攷依據.
상세분석료유Bosch각식형성적측벽형모적조조도(Sidewall Roughness)대규통공(TSV)호련결구고빈성능적영향,병통과전파전자장방진연건HFSS장조조측벽TSV호련결구여평활측벽TSV호련결구적전수특성진행료상진적대비.방진결과현시,재상동적조건하,조조측벽TSV결구적삽입손모비광활측벽TSV결구증가료15％,병차수착측벽형모조조도적증가,TSV호련결구적고빈성능악화경가엄중.최후,통과대이양화규절연층후도화TSV직경대TSV호련결구고빈성능적영향,제출료보상측벽조조도대고빈성능산생적불량영향적방법,위TSV전학설계제공삼고의거.
