科学技术与工程
科學技術與工程
과학기술여공정
SCIENCE TECHNOLOGY AND ENGINEERING
2013年
18期
5132-5134,5196
,共4页
艾瑞波%刘超%孙祺%牟海维
艾瑞波%劉超%孫祺%牟海維
애서파%류초%손기%모해유
NiMnGa%形状记忆合金%薄膜%马氏体相交
NiMnGa%形狀記憶閤金%薄膜%馬氏體相交
NiMnGa%형상기억합금%박막%마씨체상교
Ni-Mn-Ga%shape memory alloy%thin film%martensitic transformation
采用磁控溅射方法制备Ni50.3Mn27.3Ga22.4磁性形状记忆合金薄膜.系统研究薄膜的马氏体相交行为、磁场增强相变应变特性以及温度对磁感生应变的影响.试验结果表明,经823 K退火1h的Ni50.3Mn27.3Ga22.4薄膜室温下处于奥氏体态,马氏体相变开始温度为271.5 K.当沿膜面方向施加0-0.8 T磁场时,Ni50.3Mn27.3Ga22.4薄膜的马氏体相变应变量随磁场强度的增大而增大,呈现出磁场增强马氏体相交应变效应.试验还发现,饱和磁感生应变显著依赖于测试温度.当测试温度低于拟马氏体相变结束温度时,饱和磁感生应变随温度的升高先缓慢增大,在马氏体相变开始温度附近磁感生应变值发生跳跃式增加,然后随测试温度的进一步升高而降低.
採用磁控濺射方法製備Ni50.3Mn27.3Ga22.4磁性形狀記憶閤金薄膜.繫統研究薄膜的馬氏體相交行為、磁場增彊相變應變特性以及溫度對磁感生應變的影響.試驗結果錶明,經823 K退火1h的Ni50.3Mn27.3Ga22.4薄膜室溫下處于奧氏體態,馬氏體相變開始溫度為271.5 K.噹沿膜麵方嚮施加0-0.8 T磁場時,Ni50.3Mn27.3Ga22.4薄膜的馬氏體相變應變量隨磁場彊度的增大而增大,呈現齣磁場增彊馬氏體相交應變效應.試驗還髮現,飽和磁感生應變顯著依賴于測試溫度.噹測試溫度低于擬馬氏體相變結束溫度時,飽和磁感生應變隨溫度的升高先緩慢增大,在馬氏體相變開始溫度附近磁感生應變值髮生跳躍式增加,然後隨測試溫度的進一步升高而降低.
채용자공천사방법제비Ni50.3Mn27.3Ga22.4자성형상기억합금박막.계통연구박막적마씨체상교행위、자장증강상변응변특성이급온도대자감생응변적영향.시험결과표명,경823 K퇴화1h적Ni50.3Mn27.3Ga22.4박막실온하처우오씨체태,마씨체상변개시온도위271.5 K.당연막면방향시가0-0.8 T자장시,Ni50.3Mn27.3Ga22.4박막적마씨체상변응변량수자장강도적증대이증대,정현출자장증강마씨체상교응변효응.시험환발현,포화자감생응변현저의뢰우측시온도.당측시온도저우의마씨체상변결속온도시,포화자감생응변수온도적승고선완만증대,재마씨체상변개시온도부근자감생응변치발생도약식증가,연후수측시온도적진일보승고이강저.
