CAJ | 학술논문

近年来，宽禁带纤锌矿结构半导体如ZnO、GaN、AlN及其合金等在微电子和光电子器件中的广泛应用，已成为半导体材料领域的研究热点，其中一个十分重要的课题就是这些材料所构成的异质结中的光学声子模及其电声相互作用。由于光学声子模对纤锌矿量子阱的理论性质有重要的影响。因此研究纤锌矿GaN/ZnO光学声子模性质具有十分重要的物理意义。
근년래，관금대섬자광결구반도체여ZnO、GaN、AlN급기합금등재미전자화광전자기건중적엄범응용，이성위반도체재료영역적연구열점，기중일개십분중요적과제취시저사재료소구성적이질결중적광학성자모급기전성상호작용。유우광학성자모대섬자광양자정적이론성질유중요적영향。인차연구섬자광GaN/ZnO광학성자모성질구유십분중요적물리의의。