计算物理
計算物理
계산물리
CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS
2013年
3期
441-446
,共6页
沿团簇边缘扩散%表面活性剂%表面粗糙度%Monte-Carlo模拟
沿糰簇邊緣擴散%錶麵活性劑%錶麵粗糙度%Monte-Carlo模擬
연단족변연확산%표면활성제%표면조조도%Monte-Carlo모의
edge-diffusion around clusters%surfactant%surface roughness%Monte-Carlo simulation
用动态Monte-Carlo方法对Ge在单层表面活性剂Pb覆盖的Si(111)表面上沿团簇边缘扩散进行三维模拟.重点讨论Ge原子是否沿团簇边缘扩散,沿边缘扩散时的最大扩散步数及最近邻原子数对三维生长的影响,并计算薄膜表面粗糙度研究三维生长模式.模拟表明Ge沿团簇边缘扩散的行为对薄膜生长模式的影响很大,同时讨论了ES势对三维生长模式的影响.
用動態Monte-Carlo方法對Ge在單層錶麵活性劑Pb覆蓋的Si(111)錶麵上沿糰簇邊緣擴散進行三維模擬.重點討論Ge原子是否沿糰簇邊緣擴散,沿邊緣擴散時的最大擴散步數及最近鄰原子數對三維生長的影響,併計算薄膜錶麵粗糙度研究三維生長模式.模擬錶明Ge沿糰簇邊緣擴散的行為對薄膜生長模式的影響很大,同時討論瞭ES勢對三維生長模式的影響.
용동태Monte-Carlo방법대Ge재단층표면활성제Pb복개적Si(111)표면상연단족변연확산진행삼유모의.중점토론Ge원자시부연단족변연확산,연변연확산시적최대확산보수급최근린원자수대삼유생장적영향,병계산박막표면조조도연구삼유생장모식.모의표명Ge연단족변연확산적행위대박막생장모식적영향흔대,동시토론료ES세대삼유생장모식적영향.