固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
3期
276-279
,共4页
李赟%尹志军%赵志飞%朱志明%陆东赛%李忠辉
李赟%尹誌軍%趙誌飛%硃誌明%陸東賽%李忠輝
리빈%윤지군%조지비%주지명%륙동새%리충휘
石墨烯%碳化硅衬底%硅面%拉曼图谱
石墨烯%碳化硅襯底%硅麵%拉曼圖譜
석묵희%탄화규츤저%규면%랍만도보
graphene%silicon carbide substrates%Si-face%Raman spectrum
利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响.SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同一炉次进行,高温时反应室释放出之前吸附的氢气不能有效地被分子泵抽除,SiC衬底的有效碳化时间有限,实验发现热处理时间超过30 min之后,石墨烯层数并无明显变化.进一步加长热处理时间,石墨烯样品中出现局部氢插入层.
利用水平熱壁式CVD外延爐開展瞭SiC熱分解法製備石墨烯薄膜的實驗,主要研究瞭不同的真空熱處理時間對石墨烯薄膜生長的影響.SiC襯底的氫氣在線刻蝕處理和熱分解在同一爐次進行,高溫時反應室釋放齣之前吸附的氫氣不能有效地被分子泵抽除,SiC襯底的有效碳化時間有限,實驗髮現熱處理時間超過30 min之後,石墨烯層數併無明顯變化.進一步加長熱處理時間,石墨烯樣品中齣現跼部氫插入層.
이용수평열벽식CVD외연로개전료SiC열분해법제비석묵희박막적실험,주요연구료불동적진공열처리시간대석묵희박막생장적영향.SiC츤저적경기재선각식처리화열분해재동일로차진행,고온시반응실석방출지전흡부적경기불능유효지피분자빙추제,SiC츤저적유효탄화시간유한,실험발현열처리시간초과30 min지후,석묵희층수병무명현변화.진일보가장열처리시간,석묵희양품중출현국부경삽입층.
