固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
3期
254-259
,共6页
黄杏丽%秦希%秦亚杰%黄煜梅%洪志良
黃杏麗%秦希%秦亞傑%黃煜梅%洪誌良
황행려%진희%진아걸%황욱매%홍지량
宽带%互补金属氧化物半导体%可变增益放大器%温度补偿
寬帶%互補金屬氧化物半導體%可變增益放大器%溫度補償
관대%호보금속양화물반도체%가변증익방대기%온도보상
wideband%CMOS%variable gain amplifier(VGA)%temperature compensation
设计实现了一个具有温度补偿的宽带CMOS可变增益放大器,该可变增益放大器的核心电路由三级基于改进型Cherry-Hooper结构的可变增益单元级联而成,并通过一种温度系数增强的且可编程的偏置电路和增益控制电路对可变增益放大器的增益进行温度补偿.采用中芯国际0.13 μm CMOS工艺流片,测试结果表明可变增益放大器的可变增益范围为-13～27 dB,经过温度补偿后,在相同增益控制电压下其增益在0～75℃温度范围内的变化范围不超过3 dB.可变增益放大器的3 dB带宽为0.8～3 GHz,输入1 dB压缩点为-50～-21 dBm,在1.2V电压下,功耗为21.6 mW.
設計實現瞭一箇具有溫度補償的寬帶CMOS可變增益放大器,該可變增益放大器的覈心電路由三級基于改進型Cherry-Hooper結構的可變增益單元級聯而成,併通過一種溫度繫數增彊的且可編程的偏置電路和增益控製電路對可變增益放大器的增益進行溫度補償.採用中芯國際0.13 μm CMOS工藝流片,測試結果錶明可變增益放大器的可變增益範圍為-13～27 dB,經過溫度補償後,在相同增益控製電壓下其增益在0～75℃溫度範圍內的變化範圍不超過3 dB.可變增益放大器的3 dB帶寬為0.8～3 GHz,輸入1 dB壓縮點為-50～-21 dBm,在1.2V電壓下,功耗為21.6 mW.
설계실현료일개구유온도보상적관대CMOS가변증익방대기,해가변증익방대기적핵심전로유삼급기우개진형Cherry-Hooper결구적가변증익단원급련이성,병통과일충온도계수증강적차가편정적편치전로화증익공제전로대가변증익방대기적증익진행온도보상.채용중심국제0.13 μm CMOS공예류편,측시결과표명가변증익방대기적가변증익범위위-13～27 dB,경과온도보상후,재상동증익공제전압하기증익재0～75℃온도범위내적변화범위불초과3 dB.가변증익방대기적3 dB대관위0.8～3 GHz,수입1 dB압축점위-50～-21 dBm,재1.2V전압하,공모위21.6 mW.
