固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
3期
228-236
,共9页
石墨烯纳米条带%场效应管%非平衡格林函数%掺杂结构%漏极电场致势垒降低效应
石墨烯納米條帶%場效應管%非平衡格林函數%摻雜結構%漏極電場緻勢壘降低效應
석묵희납미조대%장효응관%비평형격림함수%참잡결구%루겁전장치세루강저효응
graphene nanoribbon%field-effect transistors%non-equilibrium Green's function%doping profile%drain-field induced pontential barrier lowering (DIBL)
随着器件沟道尺寸的不断缩小,短沟道效应(SCE)和漏致势垒降低效应(DIBL)对常规类MOSFET结构的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)影响变大,从而引起器件性能下降.文中提出了一种新型采用非对称HALO-LDD掺杂结构的GNRFET,其能够有效抑制器件中SCE和DIBL,改善器件性能.并采用一种量子力学模型研究GNRFET的电学特性,该模型基于二维NEGF(非平衡格林函数)方程和Poisson方程自洽全量子数值解.结合器件的工作原理,研究了GNRFET的电学特性和器件结构尺寸效应,通过与采用其他掺杂结构的GNRFET的电学特性对比分析,发现这种掺杂结构的石墨烯纳米条带场效应管具有更低的泄漏电流、更低的亚阈值斜率和DIBL以及更高的开关电流比,其能够较好地满足ITRS相关性能指标要求.
隨著器件溝道呎吋的不斷縮小,短溝道效應(SCE)和漏緻勢壘降低效應(DIBL)對常規類MOSFET結構的石墨烯納米條帶場效應管(GNRFET)影響變大,從而引起器件性能下降.文中提齣瞭一種新型採用非對稱HALO-LDD摻雜結構的GNRFET,其能夠有效抑製器件中SCE和DIBL,改善器件性能.併採用一種量子力學模型研究GNRFET的電學特性,該模型基于二維NEGF(非平衡格林函數)方程和Poisson方程自洽全量子數值解.結閤器件的工作原理,研究瞭GNRFET的電學特性和器件結構呎吋效應,通過與採用其他摻雜結構的GNRFET的電學特性對比分析,髮現這種摻雜結構的石墨烯納米條帶場效應管具有更低的洩漏電流、更低的亞閾值斜率和DIBL以及更高的開關電流比,其能夠較好地滿足ITRS相關性能指標要求.
수착기건구도척촌적불단축소,단구도효응(SCE)화루치세루강저효응(DIBL)대상규류MOSFET결구적석묵희납미조대장효응관(GNRFET)영향변대,종이인기기건성능하강.문중제출료일충신형채용비대칭HALO-LDD참잡결구적GNRFET,기능구유효억제기건중SCE화DIBL,개선기건성능.병채용일충양자역학모형연구GNRFET적전학특성,해모형기우이유NEGF(비평형격림함수)방정화Poisson방정자흡전양자수치해.결합기건적공작원리,연구료GNRFET적전학특성화기건결구척촌효응,통과여채용기타참잡결구적GNRFET적전학특성대비분석,발현저충참잡결구적석묵희납미조대장효응관구유경저적설루전류、경저적아역치사솔화DIBL이급경고적개관전류비,기능구교호지만족ITRS상관성능지표요구.
