0.15 μm GaN HEMT及其应用
0.15 μm GaN HEMT급기응용
A 0.15 μm GaN HEMT and Its Application
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2013年 3期 215-219 ,共5页

    任春江%陶洪琪%余旭明%李忠辉%王泉慧%王雯%陈堂胜%张斌

    임춘강%도홍기%여욱명%리충휘%왕천혜%왕문%진당성%장빈

    铝镓氮/氮化镓%高电子迁移率晶体管%场板%毫米波功率单片 鋁鎵氮/氮化鎵%高電子遷移率晶體管%場闆%毫米波功率單片
    려가담/담화가%고전자천이솔정체관%장판%호미파공솔단편
    AlGaN/GaN%HEMT%field plate%millimeter-wave power MMIC
    报道了毫米波应用的0.15μm场板结构GaN HEMT.器件研制采用了76.2 mm(3英寸)SiC衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料由MOCVD技术生长并引入了掺Fe GaN缓冲层技术以提升器件击穿电压.器件栅脚和集成了场板的栅帽均由电子束光刻实现,并采用栅挖槽技术来控制器件夹断电压.研制的2×75 μm栅宽GaNHEMT在24 V工作电压、35 GHz频率下的负载牵引测试结果显示其输出功率密度达到了4 W/mm,对应的功率增益和功率附加效率分别为5 dB和35％.采用该0.15 μm GaN HEMT技术进行了Ka波段GaN功率MMIC的研制,所研制的功率MMIC在24 V工作电压下脉冲工作时(100 μs脉宽、10％占空比),29 GHz频点处饱和功率达到了10.64 W.
    보도료호미파응용적0.15μm장판결구GaN HEMT.기건연제채용료76.2 mm(3영촌)SiC츤저상외연생장적AlGaN/GaN이질결구재료,해재료유MOCVD기술생장병인입료참Fe GaN완충층기술이제승기건격천전압.기건책각화집성료장판적책모균유전자속광각실현,병채용책알조기술래공제기건협단전압.연제적2×75 μm책관GaNHEMT재24 V공작전압、35 GHz빈솔하적부재견인측시결과현시기수출공솔밀도체도료4 W/mm,대응적공솔증익화공솔부가효솔분별위5 dB화35％.채용해0.15 μm GaN HEMT기술진행료Ka파단GaN공솔MMIC적연제,소연제적공솔MMIC재24 V공작전압하맥충공작시(100 μs맥관、10％점공비),29 GHz빈점처포화공솔체도료10.64 W.
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