固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
3期
211-214
,共4页
刘沙沙%秦福文%朱巧智%刘冰冰%汤斌%王德君
劉沙沙%秦福文%硃巧智%劉冰冰%湯斌%王德君
류사사%진복문%주교지%류빙빙%탕빈%왕덕군
二氧化硅/碳化硅界面%金属氧化物半导体电容%氮钝化%界面态密度%Gray-Brown法
二氧化硅/碳化硅界麵%金屬氧化物半導體電容%氮鈍化%界麵態密度%Gray-Brown法
이양화규/탄화규계면%금속양화물반도체전용%담둔화%계면태밀도%Gray-Brown법
SiO2/SiC interface%MOS capacitor%nitrogen passivation%interface state density%Gray-Brown method
降低SiO2/SiC界面态密度,尤其是SiC导带附近的界面态密度,是SiC MOS器件研究中的关键技术问题.采用氮等离子体钝化处理SiO2/SiC界面,制作成MOS电容后通过I-V和低温C-V测试进行氧化膜击穿特性及界面特性评价.氧化膜击穿电场为9.92 MY/cm,SiO2与SiC之间的势垒高度为2.69 eV.使用Gray-Brown法结合Hi-Lo法分析C-V曲线,获得了距导带底Ec0.05～0.6 eV范围内的界面态分布,其中距Ec0.2 eV处的界面态密度降低至1.33×1012cm-2eV-1.实验结果表明,氮等离子体处理能有效降低4H-SiC导带附近的界面态密度,改善界面特性.
降低SiO2/SiC界麵態密度,尤其是SiC導帶附近的界麵態密度,是SiC MOS器件研究中的關鍵技術問題.採用氮等離子體鈍化處理SiO2/SiC界麵,製作成MOS電容後通過I-V和低溫C-V測試進行氧化膜擊穿特性及界麵特性評價.氧化膜擊穿電場為9.92 MY/cm,SiO2與SiC之間的勢壘高度為2.69 eV.使用Gray-Brown法結閤Hi-Lo法分析C-V麯線,穫得瞭距導帶底Ec0.05～0.6 eV範圍內的界麵態分佈,其中距Ec0.2 eV處的界麵態密度降低至1.33×1012cm-2eV-1.實驗結果錶明,氮等離子體處理能有效降低4H-SiC導帶附近的界麵態密度,改善界麵特性.
강저SiO2/SiC계면태밀도,우기시SiC도대부근적계면태밀도,시SiC MOS기건연구중적관건기술문제.채용담등리자체둔화처리SiO2/SiC계면,제작성MOS전용후통과I-V화저온C-V측시진행양화막격천특성급계면특성평개.양화막격천전장위9.92 MY/cm,SiO2여SiC지간적세루고도위2.69 eV.사용Gray-Brown법결합Hi-Lo법분석C-V곡선,획득료거도대저Ec0.05～0.6 eV범위내적계면태분포,기중거Ec0.2 eV처적계면태밀도강저지1.33×1012cm-2eV-1.실험결과표명,담등리자체처리능유효강저4H-SiC도대부근적계면태밀도,개선계면특성.
