GaN HFET沟道层中的慢输运电子态和射频电流崩塌
GaN HFET구도층중적만수운전자태화사빈전류붕탑
Slow Transport Electron States in GaN HFET Channel and Radio Frequency Current Collapse
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2013年 3期 205-210 ,共6页

    薛舫时

    설방시

    氮化镓异质结场效应管中的电流崩塌%沟道中的慢输运电子%电子输运过程中的状态转换%沟道强场峰的由来%射频电流崩塌 氮化鎵異質結場效應管中的電流崩塌%溝道中的慢輸運電子%電子輸運過程中的狀態轉換%溝道彊場峰的由來%射頻電流崩塌
    담화가이질결장효응관중적전류붕탑%구도중적만수운전자%전자수운과정중적상태전환%구도강장봉적유래%사빈전류붕탑
    current collapse in GaN HFET%slow transport electrons in channel%electron state transformation during transport process%origin of electric field peak in channel%radio frequency current collapse
    从电极偏置环境、二维异质结能带及沟道电子状态的研究出发,发现了沟道中存在具有不同输运特性的高能正常电子和低能慢电子,建立起新的慢电子电流崩塌模型.在器件射频工作中通过正常输运电子到幔电子的转换过程解释了射频电流崩塌行为.沟道中的幔电子是产生射频电流崩塌的真正缘由.运用这一幔电子电流崩塌模型解释了目前用耗尽模型不能解释的大量实验结果.最后提出了通过异质结构优化设计来消除慢电子,解决电流崩塌难题的新途径.
    종전겁편치배경、이유이질결능대급구도전자상태적연구출발,발현료구도중존재구유불동수운특성적고능정상전자화저능만전자,건립기신적만전자전류붕탑모형.재기건사빈공작중통과정상수운전자도만전자적전환과정해석료사빈전류붕탑행위.구도중적만전자시산생사빈전류붕탑적진정연유.운용저일만전자전류붕탑모형해석료목전용모진모형불능해석적대량실험결과.최후제출료통과이질결구우화설계래소제만전자,해결전류붕탑난제적신도경.
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