稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2013年
6期
1278-1281
,共4页
单迪%王庆阳%刘国庆%熊晓梅%李金山%闫果%周廉
單迪%王慶暘%劉國慶%熊曉梅%李金山%閆果%週廉
단적%왕경양%류국경%웅효매%리금산%염과%주렴
MgB2超导体%分步反应法%晶态B粉%无定形B粉
MgB2超導體%分步反應法%晶態B粉%無定形B粉
MgB2초도체%분보반응법%정태B분%무정형B분
MgB2 superconductor%two-step PIT%crystalline B%amorphous B
通过分步反应法,利用晶态B粉和无定形B粉分别与Mg粉反应制备了MgB2超导体.其中分步反应法的第1步采用不同状态的B粉与Mg粉按原子比Mg∶B=1∶4混合,对于掺杂的样品另加5％,8％(质量分数)的SiC,采用900℃,30 min或800℃,1h进行高温热处理.第2步是补充Mg粉,使Mg∶B=1∶2,均混的粉末经装管拉拔后进行第2步750℃,2.5h热处理.通过XRD、SEM研究样品的相组成、微观结构.采用标准四引线法测定了样品的I-V曲线.结果表明:晶态B粉与Mg粉可在第1步的热处理过程中生成大量低反应活性的MgB4.从微结构分析发现晶态B粉制备的样品具有更好的晶粒连通性,从而也得到了更稳定的I-V关系曲线.
通過分步反應法,利用晶態B粉和無定形B粉分彆與Mg粉反應製備瞭MgB2超導體.其中分步反應法的第1步採用不同狀態的B粉與Mg粉按原子比Mg∶B=1∶4混閤,對于摻雜的樣品另加5％,8％(質量分數)的SiC,採用900℃,30 min或800℃,1h進行高溫熱處理.第2步是補充Mg粉,使Mg∶B=1∶2,均混的粉末經裝管拉拔後進行第2步750℃,2.5h熱處理.通過XRD、SEM研究樣品的相組成、微觀結構.採用標準四引線法測定瞭樣品的I-V麯線.結果錶明:晶態B粉與Mg粉可在第1步的熱處理過程中生成大量低反應活性的MgB4.從微結構分析髮現晶態B粉製備的樣品具有更好的晶粒連通性,從而也得到瞭更穩定的I-V關繫麯線.
통과분보반응법,이용정태B분화무정형B분분별여Mg분반응제비료MgB2초도체.기중분보반응법적제1보채용불동상태적B분여Mg분안원자비Mg∶B=1∶4혼합,대우참잡적양품령가5％,8％(질량분수)적SiC,채용900℃,30 min혹800℃,1h진행고온열처리.제2보시보충Mg분,사Mg∶B=1∶2,균혼적분말경장관랍발후진행제2보750℃,2.5h열처리.통과XRD、SEM연구양품적상조성、미관결구.채용표준사인선법측정료양품적I-V곡선.결과표명:정태B분여Mg분가재제1보적열처리과정중생성대량저반응활성적MgB4.종미결구분석발현정태B분제비적양품구유경호적정립련통성,종이야득도료경은정적I-V관계곡선.
