电子器件
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전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2013年
3期
285-289
,共5页
张力典%沈鸿烈%岳之浩%王威%蒋晔
張力典%瀋鴻烈%嶽之浩%王威%蔣曄
장력전%침홍렬%악지호%왕위%장엽
多晶硅制绒%腐蚀时间%体积比%反射率%表面形貌
多晶硅製絨%腐蝕時間%體積比%反射率%錶麵形貌
다정규제융%부식시간%체적비%반사솔%표면형모
multicrystalline silicon texturization%etching time%volume ratio%reflectivity%surface morphology
在多晶硅太阳电池制备工艺中,多晶硅表面制绒一直是研究热点,绒面的反射率以及形貌受到多个因素的影响.采用由HF,HNO3和H2O组成的腐蚀液对多晶硅进行腐蚀,研究了腐蚀时间,腐蚀液中HF与HNO3的体积比以及H2O在腐蚀液中的含量对制绒结果的影响.用分光光度计测量了制备绒面的反射率,并用扫描电镜观察了制备绒面的表面形貌.研究结果表明,腐蚀液中HF,HNO3和H2O的体积比对腐蚀坑的形貌有重要影响,而腐蚀坑形貌则决定了绒面反射率的高低.当腐蚀液中HF∶HNO3∶H20体积比为5∶1∶2且腐蚀时间为3 min时,绒面在300 nm～900 nm波长范围内平均反射率最低,仅为20.4％,这是因为绒面中窄而深的腐蚀坑增强了硅片表面对光的吸收,降低了反射率.
在多晶硅太暘電池製備工藝中,多晶硅錶麵製絨一直是研究熱點,絨麵的反射率以及形貌受到多箇因素的影響.採用由HF,HNO3和H2O組成的腐蝕液對多晶硅進行腐蝕,研究瞭腐蝕時間,腐蝕液中HF與HNO3的體積比以及H2O在腐蝕液中的含量對製絨結果的影響.用分光光度計測量瞭製備絨麵的反射率,併用掃描電鏡觀察瞭製備絨麵的錶麵形貌.研究結果錶明,腐蝕液中HF,HNO3和H2O的體積比對腐蝕坑的形貌有重要影響,而腐蝕坑形貌則決定瞭絨麵反射率的高低.噹腐蝕液中HF∶HNO3∶H20體積比為5∶1∶2且腐蝕時間為3 min時,絨麵在300 nm～900 nm波長範圍內平均反射率最低,僅為20.4％,這是因為絨麵中窄而深的腐蝕坑增彊瞭硅片錶麵對光的吸收,降低瞭反射率.
재다정규태양전지제비공예중,다정규표면제융일직시연구열점,융면적반사솔이급형모수도다개인소적영향.채용유HF,HNO3화H2O조성적부식액대다정규진행부식,연구료부식시간,부식액중HF여HNO3적체적비이급H2O재부식액중적함량대제융결과적영향.용분광광도계측량료제비융면적반사솔,병용소묘전경관찰료제비융면적표면형모.연구결과표명,부식액중HF,HNO3화H2O적체적비대부식갱적형모유중요영향,이부식갱형모칙결정료융면반사솔적고저.당부식액중HF∶HNO3∶H20체적비위5∶1∶2차부식시간위3 min시,융면재300 nm～900 nm파장범위내평균반사솔최저,부위20.4％,저시인위융면중착이심적부식갱증강료규편표면대광적흡수,강저료반사솔.
