压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2013年
3期
419-422
,共4页
孙子茭%钟志亲%王姝娅%戴丽萍%张国俊
孫子茭%鐘誌親%王姝婭%戴麗萍%張國俊
손자교%종지친%왕주아%대려평%장국준
SiC%欧姆接触%快速热退火%肖特基势垒
SiC%歐姆接觸%快速熱退火%肖特基勢壘
SiC%구모접촉%쾌속열퇴화%초특기세루
Silicon carbide%ohmic contact%rapid thermal annealing%Schottky barrier
采用高真空电子束蒸发法制作了基于4 H-SiC外延材料的肖特基二极管,其中欧姆接触材料为Ti/Ni,肖特基接触材料为Ni.常温下,电流-电压(I-V)测试表明Ni/4 H-SiC肖特基二极管具有良好的整流特性,热电子发射是其主要输运机理.对比分析不同快速退火温度下器件的I-V特性,实验结果表明875℃退火温度下欧姆接触特性最好,400℃退火温度下器件肖特基接触I-V特性最好,理想因子为1.447,肖特基势垒高度为1.029 eV.
採用高真空電子束蒸髮法製作瞭基于4 H-SiC外延材料的肖特基二極管,其中歐姆接觸材料為Ti/Ni,肖特基接觸材料為Ni.常溫下,電流-電壓(I-V)測試錶明Ni/4 H-SiC肖特基二極管具有良好的整流特性,熱電子髮射是其主要輸運機理.對比分析不同快速退火溫度下器件的I-V特性,實驗結果錶明875℃退火溫度下歐姆接觸特性最好,400℃退火溫度下器件肖特基接觸I-V特性最好,理想因子為1.447,肖特基勢壘高度為1.029 eV.
채용고진공전자속증발법제작료기우4 H-SiC외연재료적초특기이겁관,기중구모접촉재료위Ti/Ni,초특기접촉재료위Ni.상온하,전류-전압(I-V)측시표명Ni/4 H-SiC초특기이겁관구유량호적정류특성,열전자발사시기주요수운궤리.대비분석불동쾌속퇴화온도하기건적I-V특성,실험결과표명875℃퇴화온도하구모접촉특성최호,400℃퇴화온도하기건초특기접촉I-V특성최호,이상인자위1.447,초특기세루고도위1.029 eV.
