压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2013年
3期
416-418,422
,共4页
付伍君%孟祥钦%朱博%张遥%刘浩瀚%杨成韬
付伍君%孟祥欽%硃博%張遙%劉浩瀚%楊成韜
부오군%맹상흠%주박%장요%류호한%양성도
AlN/ZnO薄膜%溅射功率%择优生长%结构%表面形貌
AlN/ZnO薄膜%濺射功率%擇優生長%結構%錶麵形貌
AlN/ZnO박막%천사공솔%택우생장%결구%표면형모
AlN/ZnO film%sputtering power%preferred growth%structure%surface morphology
采用直流反应磁控溅射法以ZnO为缓冲层在Si衬底上制备了AlN/ZnO薄膜.利用台阶仪、X线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)对不同溅射功率下制备的AlN/ZnO薄膜的厚度、结构及表面形貌进行测试表征.结果表明,不同溅射功率下生长的A1N薄膜都沿(002)择优生长,且随着功率的增大,薄膜的沉积速率增加,晶粒长大,AlN薄膜的(002)取向性变好.同时还利用扫描电子显微镜(SEM)对在优化工艺下制得AlN/ZnO薄膜断面的形貌进行表征,结果显示AIN薄膜呈柱状生长.
採用直流反應磁控濺射法以ZnO為緩遲層在Si襯底上製備瞭AlN/ZnO薄膜.利用檯階儀、X線衍射(XRD)儀和原子力顯微鏡(AFM)對不同濺射功率下製備的AlN/ZnO薄膜的厚度、結構及錶麵形貌進行測試錶徵.結果錶明,不同濺射功率下生長的A1N薄膜都沿(002)擇優生長,且隨著功率的增大,薄膜的沉積速率增加,晶粒長大,AlN薄膜的(002)取嚮性變好.同時還利用掃描電子顯微鏡(SEM)對在優化工藝下製得AlN/ZnO薄膜斷麵的形貌進行錶徵,結果顯示AIN薄膜呈柱狀生長.
채용직류반응자공천사법이ZnO위완충층재Si츤저상제비료AlN/ZnO박막.이용태계의、X선연사(XRD)의화원자력현미경(AFM)대불동천사공솔하제비적AlN/ZnO박막적후도、결구급표면형모진행측시표정.결과표명,불동천사공솔하생장적A1N박막도연(002)택우생장,차수착공솔적증대,박막적침적속솔증가,정립장대,AlN박막적(002)취향성변호.동시환이용소묘전자현미경(SEM)대재우화공예하제득AlN/ZnO박막단면적형모진행표정,결과현시AIN박막정주상생장.
