GaSb量子点液相外延生长
GaSb양자점액상외연생장
GaSb Quantum Dots growth by Liquid Phase Epitaxy
  • 万方数据
    红外与毫米波学报 홍외여호미파학보
    JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
    2013年 3期 220-224 ,共5页

    胡淑红%邱锋%吕英飞%孙常鸿%王奇伟%郭建华%邓惠勇%戴宁%ZHUANG Qian-Dong

    호숙홍%구봉%려영비%손상홍%왕기위%곽건화%산혜용%대저%ZHUANG Qian-Dong

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    GaSb양자점%이류양자점결구%액상외연,원자력현미경
    GaSb quantum dots%type-Ⅱ QDs structure%Liquid Phase Epitaxy%atomic force microscopy
    采用改进的快速推舟液相外延技术在GaAs衬底上成功地生长了GaSb量子点材料.通过原子力显微镜观测了不同生长参数下GaSb量子点材料的形貌(形状、尺寸、密度、尺寸分布均匀性等).分析了不同衬底、不同生长源配比、生长源与衬底的不同接触时间等生长条件参数对GaSb量子点生长的影响.研究表明在GaAs衬底上、富镓生长源配比以及较短的生长源和衬底接触时间下更易获得高质量的GaSb量子点.上述生长条件的摸索和研究对于GaSb量子点器件应用具有重要意义.
    채용개진적쾌속추주액상외연기술재GaAs츤저상성공지생장료GaSb양자점재료.통과원자력현미경관측료불동생장삼수하GaSb양자점재료적형모(형상、척촌、밀도、척촌분포균균성등).분석료불동츤저、불동생장원배비、생장원여츤저적불동접촉시간등생장조건삼수대GaSb양자점생장적영향.연구표명재GaAs츤저상、부가생장원배비이급교단적생장원화츤저접촉시간하경역획득고질량적GaSb양자점.상술생장조건적모색화연구대우GaSb양자점기건응용구유중요의의.
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