红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2013年
3期
210-213,224
,共5页
周易%陈建新%徐庆庆%徐志成%靳川%许佳佳%金巨鹏%何力
週易%陳建新%徐慶慶%徐誌成%靳川%許佳佳%金巨鵬%何力
주역%진건신%서경경%서지성%근천%허가가%금거붕%하력
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格%长波12.5μm%暗电流
InAs/GaSb Ⅱ類超晶格%長波12.5μm%暗電流
InAs/GaSb Ⅱ류초정격%장파12.5μm%암전류
InAs/GaSb superlattice%long wavelength%dark current
报道了50％截止波长为12.5μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器材料及单元器件.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.吸收区结构为15ML(InAs)/7ML(GaSb),器件采用PBIN的多层异质结构以抑制长波器件暗电流.在77K温度下测试了单元器件的电流-电压(I-v)特性,响应光谱和黑体响应.在该温度下,光敏元大小为100μm×100μm的单元探测器RmaxA为2.5Ωcm2,器件的电流响应率为1.29A/W,黑体响应率为2.1×109cmHz12/W,11μm处量子效率为14.3％.采用四种暗电流机制对器件反向偏压下的暗电流密度曲线进行了拟合分析,结果表明起主导作用的暗电流机制为产生复合电流.
報道瞭50％截止波長為12.5μm的InAs/GaSb Ⅱ類超晶格長波紅外探測器材料及單元器件.實驗採用分子束外延技術在GaSb襯底上生長超晶格材料.吸收區結構為15ML(InAs)/7ML(GaSb),器件採用PBIN的多層異質結構以抑製長波器件暗電流.在77K溫度下測試瞭單元器件的電流-電壓(I-v)特性,響應光譜和黑體響應.在該溫度下,光敏元大小為100μm×100μm的單元探測器RmaxA為2.5Ωcm2,器件的電流響應率為1.29A/W,黑體響應率為2.1×109cmHz12/W,11μm處量子效率為14.3％.採用四種暗電流機製對器件反嚮偏壓下的暗電流密度麯線進行瞭擬閤分析,結果錶明起主導作用的暗電流機製為產生複閤電流.
보도료50％절지파장위12.5μm적InAs/GaSb Ⅱ류초정격장파홍외탐측기재료급단원기건.실험채용분자속외연기술재GaSb츤저상생장초정격재료.흡수구결구위15ML(InAs)/7ML(GaSb),기건채용PBIN적다층이질결구이억제장파기건암전류.재77K온도하측시료단원기건적전류-전압(I-v)특성,향응광보화흑체향응.재해온도하,광민원대소위100μm×100μm적단원탐측기RmaxA위2.5Ωcm2,기건적전류향응솔위1.29A/W,흑체향응솔위2.1×109cmHz12/W,11μm처양자효솔위14.3％.채용사충암전류궤제대기건반향편압하적암전류밀도곡선진행료의합분석,결과표명기주도작용적암전류궤제위산생복합전류.
