国防科技大学学报
國防科技大學學報
국방과기대학학보
JOURNAL OF NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY
2013年
3期
99-103
,共5页
单电子晶体管%正统理论%能量量子化%临界尺寸%室温
單電子晶體管%正統理論%能量量子化%臨界呎吋%室溫
단전자정체관%정통이론%능량양자화%림계척촌%실온
single-electron transistor%orthodox theory%energy quantization%critical size%at room temperature
为使单电子晶体管达到实际应用的地步,开展室温条件下相关研究成为必然.从正统理论出发,推导、计算出室温条件下单电子晶体管能否正常工作的库仑岛临界尺寸:存储器件为6.5nm,逻辑器件为1.5nm；本文还推导和计算出单电子晶体管室温下发生能量量子化效应的临界尺寸:4.7nm,并对这3种临界尺寸进行了验证和分析.另外,通过比较分析本文还得出了室温条件下,所有逻辑器件均必须考虑能量量子化效应,所有存储器件应尽量考虑能量量子化效应的结论.分析结果表明,库仑岛临界尺寸的确定对单电子晶体管的实际应用具有重要意义.
為使單電子晶體管達到實際應用的地步,開展室溫條件下相關研究成為必然.從正統理論齣髮,推導、計算齣室溫條件下單電子晶體管能否正常工作的庫崙島臨界呎吋:存儲器件為6.5nm,邏輯器件為1.5nm；本文還推導和計算齣單電子晶體管室溫下髮生能量量子化效應的臨界呎吋:4.7nm,併對這3種臨界呎吋進行瞭驗證和分析.另外,通過比較分析本文還得齣瞭室溫條件下,所有邏輯器件均必鬚攷慮能量量子化效應,所有存儲器件應儘量攷慮能量量子化效應的結論.分析結果錶明,庫崙島臨界呎吋的確定對單電子晶體管的實際應用具有重要意義.
위사단전자정체관체도실제응용적지보,개전실온조건하상관연구성위필연.종정통이론출발,추도、계산출실온조건하단전자정체관능부정상공작적고륜도림계척촌:존저기건위6.5nm,라집기건위1.5nm；본문환추도화계산출단전자정체관실온하발생능량양자화효응적림계척촌:4.7nm,병대저3충림계척촌진행료험증화분석.령외,통과비교분석본문환득출료실온조건하,소유라집기건균필수고필능량양자화효응,소유존저기건응진량고필능량양자화효응적결론.분석결과표명,고륜도림계척촌적학정대단전자정체관적실제응용구유중요의의.
