上海电力学院学报
上海電力學院學報
상해전역학원학보
JOURNAL OF SHANGHAI INSTITUTE OF ELECTRIC POWER
2013年
3期
238-240,245
,共4页
功率放大器%SiGe BiCMOS工艺%超高频%阅读器
功率放大器%SiGe BiCMOS工藝%超高頻%閱讀器
공솔방대기%SiGe BiCMOS공예%초고빈%열독기
设计了一种工作在860～960 MHz频段内,用于UHF RFID阅读器的单芯片射频功率放大器(PA).概述了PA适用的UHF RFID通信标准和采用的0.18 μm SiGe BiCMOS工艺技术,分析了PA匹配电路和自适应偏置电路的设计方法,给出了PA芯片的电路结构和芯片测试结果.
設計瞭一種工作在860～960 MHz頻段內,用于UHF RFID閱讀器的單芯片射頻功率放大器(PA).概述瞭PA適用的UHF RFID通信標準和採用的0.18 μm SiGe BiCMOS工藝技術,分析瞭PA匹配電路和自適應偏置電路的設計方法,給齣瞭PA芯片的電路結構和芯片測試結果.
설계료일충공작재860～960 MHz빈단내,용우UHF RFID열독기적단심편사빈공솔방대기(PA).개술료PA괄용적UHF RFID통신표준화채용적0.18 μm SiGe BiCMOS공예기술,분석료PA필배전로화자괄응편치전로적설계방법,급출료PA심편적전로결구화심편측시결과.
